型号：UTT30N06G
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：30A @ 25℃
　　脉冲漏极电流(Idm)：120A
　　导通电阻(Rds(on))：≤4.5mΩ @ Vgs=10V, Id=15A
　　导通电阻(Rds(on))：≤6.0mΩ @ Vgs=4.5V, Id=15A
　　阈值电压(Vgs(th))：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容(Ciss)：约2800pF @ Vds=25V
　　输出电容(Coss)：约950pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间(trr)：约35ns
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-252

UTT30N06G采用先进的沟槽栅技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关特性之间的良好平衡，使其在大电流应用中表现出色。其Rds(on)在Vgs=10V时可低至4.5mΩ，这意味着在高负载条件下仍能保持较低的功率损耗，减少发热并提高系统能效。这一特性特别适用于高效率电源设计，如同步整流DC-DC变换器、电池管理系统和电动工具驱动电路。
　　该器件具有较高的电流承载能力，标称连续漏极电流达30A，在良好的散热条件下可长期稳定运行。同时，其脉冲电流能力高达120A，足以应对瞬态过载或启动冲击电流场景，增强了系统的鲁棒性。此外，UTT30N06G的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为45nC，有助于降低驱动电路的功耗，并支持更高的开关频率操作，从而减小外围滤波元件的体积，实现小型化设计。
　　在可靠性方面，UTT30N06G具备优良的热稳定性，最大工作结温可达150℃，并内置热关断保护机制（依赖外部电路配合），可在异常温升时及时切断电流以防止损坏。其体二极管具有较快的反向恢复时间（trr≈35ns），有效减少了在感性负载切换过程中的能量损耗和电压尖峰，提升了系统EMI性能。
　　该MOSFET还通过了严格的工业级测试标准，包括高温反偏（HTRB）、高压栅极应力（H3TRB）等，确保在恶劣环境下长期工作的可靠性。其封装形式如TO-220具备良好的导热性能，可通过加装散热片进一步提升功率处理能力。综合来看，UTT30N06G是一款兼具高性能、高可靠性和成本优势的中低压功率MOSFET，适用于多种中高功率应用场景。

UTT30N06G广泛应用于各类中高功率电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），特别是在同步整流拓扑中作为主开关或整流开关使用，利用其低Rds(on)特性显著提升转换效率；在DC-DC降压或升压转换器中，该器件常用于Buck电路的上管或下管位置，适用于服务器电源、通信设备供电模块等领域。
　　在电机驱动应用中，UTT30N06G可用于直流电机、步进电机或BLDC电机的H桥驱动电路中，承担高侧或低侧开关功能，凭借其高电流能力和快速开关响应，确保电机平稳运行和高效调速。此外，在电池供电设备如电动自行车、便携式储能电源、无人机电源管理单元中，该MOSFET也常被用作主功率开关或充放电控制开关。
　　其他应用还包括逆变器、LED恒流驱动电源、热插拔控制器、电源分配单元（PDU）以及工业自动化控制系统中的固态继电器替代方案。由于其具备较强的抗浪涌能力，也可用于电源输入端的软启动或限流保护电路。总之，凡是在60V以下电压等级需要大电流、低损耗开关功能的场合，UTT30N06G均是一个理想选择。

AP3006G
　　AON6260
　　SiSS030DN
　　UT3006G
　　FDS6680A