时间：2025/8/6 10:26:53
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IXGH20N100 是一款由 IXYS 公司制造的高功率双极型晶体管（BJT），属于 NPN 类型的射频功率晶体管。该器件专为高频率和高功率应用而设计，广泛应用于射频放大器、工业加热、等离子体发生器、医疗设备和无线基础设施等领域。IXGH20N100 提供了出色的热稳定性和高频性能，使其在高功率射频系统中具有很高的可靠性。
类型：NPN 射频功率晶体管
最大集电极电流（IC）：20A
最大集电极-发射极电压（VCE）：100V
最大集电极-基极电压（VCB）：150V
最大耗散功率（PC）：400W
工作温度范围：-65°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
频率范围：DC 至 100MHz
增益（hFE）：30-80
热阻（RthJC）：0.31°C/W
IXGH20N100 具有优异的高频性能和高功率处理能力，能够在恶劣的工作环境下稳定运行。其低热阻特性确保了器件在高功率运行时的热稳定性，降低了过热损坏的风险。此外，该晶体管具有良好的线性放大特性，适用于需要高保真度信号放大的射频系统。IXGH20N100 的高增益特性（hFE 为 30-80）使其能够在较小的基极电流下控制较大的集电极电流，从而提高系统的效率和响应速度。其 TO-247 封装形式便于安装在散热器上，确保高效的热量散发。此外，该器件具有良好的抗瞬态电压能力和高可靠性，适用于工业级和高要求的应用场景。
该晶体管在射频放大器中表现出色，能够提供稳定的输出功率，适用于广播、通信和测试设备。同时，其宽工作温度范围使其能够在极端环境条件下正常工作，满足工业和医疗设备的严苛要求。
IXGH20N100 主要应用于射频功率放大器、工业加热设备、等离子体发生器、医疗射频设备、无线基础设施、广播发射机、测试与测量设备等领域。该器件适用于需要高功率输出和高频性能的系统，如射频能量传输、高频焊接、感应加热和射频信号放大等应用场景。
IXGH20N100A, IXGH20N60C2D1
