时间：2025/4/27 13:20:40
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UTT20N06是一种N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等电力电子领域。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频应用中提供高效的功率转换。
UTT20N06采用TO-252封装形式，适合表面贴装技术（SMT），能够有效节省电路板空间并提高生产效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：20A
导通电阻：18mΩ
栅极电荷：37nC
总电容：450pF
工作温度范围：-55℃ to +150℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）使其在导通状态下损耗更低，从而提高整体效率。
2. 高速开关性能可以满足高频电路设计需求。
3. 具备出色的热稳定性，在高温环境下也能保持稳定运行。
4. 小型化的TO-252封装形式使得其非常适合用于对空间要求较高的场合。
5. 内置反向恢复二极管，可减少反向电流带来的额外损耗。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅。
1. 开关电源适配器
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IRFZ44N, FDP2520, STP20NF06
