UTT1H220MDD是一款由优恩半导体(UNSEMI)生产的瞬态电压抑制二极管(TVS),专门用于保护敏感电子设备免受瞬态过电压事件的影响,例如静电放电(ESD)、电感负载切换、雷击感应和其它浪涌脉冲。该器件属于单向TVS二极管,意味着其仅在正向或负向电压超过其击穿电压时导通,通常用于直流电源线路的保护。UTT1H220MDD采用高可靠性硅PN结技术制造,具有快速响应时间、高浪涌吸收能力和稳定的钳位性能。该型号封装为SMC(DO-214AB),是一种表面贴装型封装,适用于自动化贴片生产,广泛应用于工业控制、通信设备、消费类电子产品和汽车电子等领域。
UTT1H220MDD中的型号命名遵循行业惯例:'UTT'代表产品系列,'1H'表示最大反向工作电压等级,'220'表示标称击穿电压约为22V,'M'可能表示容差等级,'DD'代表封装形式为SMC。该器件设计用于在系统出现异常电压时迅速将多余能量泄放到地,从而保护下游电路不受损坏。其关键优势在于能够在短时间内承受高达数千瓦的峰值脉冲功率,同时保持较低的钳位电压,确保被保护器件的工作电压范围不被超出。此外,该TVS具备低漏电流特性,在正常工作条件下对系统功耗影响极小。
类型:单向TVS二极管
封装:SMC(DO-214AB)
反向工作电压(VRWM):175V
击穿电压(VBR):最小194.4V,典型值220V,最大244.4V
测试电流(IT):1.0mA
最大钳位电压(VC):288.5V @ IPP = 6.93A
峰值脉冲电流(IPP):6.93A
峰值脉冲功率(PPPM):2000W(8/20μs波形)
漏电流(IR):≤5μA @ VRWM
响应时间:≈1ps(理论上极快,取决于寄生参数)
UTT1H220MDD具备卓越的瞬态过电压防护能力,其核心特性之一是高达2000W的峰值脉冲功率承受能力,符合国际标准如IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4和IEC 61000-4-5的要求,能够有效抵御静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)以及雷击引起的浪涌冲击。该TVS采用单向导通结构,适用于直流电源线保护,当线路中出现正向过压时,器件迅速进入雪崩击穿状态,将电压钳制在安全范围内(最大288.5V),防止后级IC、MOSFET或其他敏感元件受损。其击穿电压范围经过精确控制,典型值为220V,确保与175V系统工作电压良好匹配,留有足够裕量避免误触发,同时又能及时响应异常高压。
该器件具有极低的待机电流,在反向工作电压下漏电流不超过5μA,几乎不对系统静态功耗造成影响,适合长期连续运行的应用场景。响应速度方面,TVS基于PN结雪崩机制,理论响应时间可达皮秒级别,远快于压敏电阻(MOV)或气体放电管(GDT),可在纳秒内抑制瞬态尖峰,提供即时保护。SMC封装不仅节省PCB空间,还具备良好的散热性能,通过大面积焊盘可有效传导热量,提升功率耐受能力。此外,该器件无铅环保,符合RoHS指令要求,适用于现代绿色电子产品制造。
UTT1H220MDD在批量生产中具有一致性和高可靠性,经过严格的高温反偏(HTRB)、温度循环和浪涌寿命测试,确保在恶劣环境下长期稳定工作。其坚固的结构设计可抵抗机械应力和热冲击,适合车载、工业等严苛应用环境。由于其标准化参数和广泛可用性,已成为许多电源接口、电机驱动器、PLC模块和通信端口的首选保护元件。
UTT1H220MDD广泛应用于需要高可靠性过压保护的电子系统中,尤其适用于直流电源输入端口的浪涌防护。常见应用场景包括工业自动化设备中的PLC控制器、I/O模块和传感器接口,这些系统常暴露于继电器开关产生的感性负载反电动势或电网波动环境中,TVS可有效吸收瞬态能量,防止MCU或信号调理电路损坏。在通信领域,该器件可用于保护RS-485、CAN总线、以太网供电(PoE)等接口免受雷击感应或接地电位差引起的高压冲击。
在消费类电子产品中,如智能家电、电源适配器和LED照明驱动电源,UTT1H220MDD用于前端保护,提升产品的电磁兼容性(EMC)和使用寿命。在汽车电子方面,尽管其主要面向工业级应用,但仍可用于非关键性的车载辅助电源系统,例如车载充电器、车身控制模块或车用显示器的电源输入级,提供一定程度的瞬态抑制能力。此外,在新能源系统如太阳能逆变器、风力发电控制系统中,该TVS可用于直流母线或控制电路的二级保护,配合其他保护器件构成多级防护体系。
由于其2000W的高脉冲功率容量,UTT1H220MDD也适用于户外设备或电力设施附近的电子装置,这些场合更容易受到雷电感应或电网操作过电压的影响。通过合理布局PCB走线并与其他保护元件(如保险丝、PTC自恢复保险丝)协同使用,可以构建完整的过压与过流保护方案,显著提高系统整体的可靠性和安全性。
SMBJ220A
SMCJ220A
P6KE220A
1.5KE220A