型号：UTT16P10L-TN3-R
　　通道类型：P沟道
　　漏源电压(VDSS)：-100V
　　连续漏极电流(ID)：-1.6A
　　脉冲漏极电流(IDM)：-4.8A
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　导通电阻(RDS(on))：≤1.0Ω @ VGS = -10V
　　导通电阻(RDS(on))：≤1.3Ω @ VGS = -4.5V
　　阈值电压(Vth)：-0.8V ~ -2.0V
　　输入电容(Ciss)：约320pF @ VDS=50V, VGS=0V
　　输出电容(Coss)：约110pF @ VDS=50V, VGS=0V
　　反向传输电容(Crss)：约25pF @ VDS=50V, VGS=0V
　　栅极电荷(Qg)：约7.5nC @ VGS=10V
　　开启时间(Td(on))：约8ns
　　上升时间(Tr)：约35ns
　　关断时间(Td(off))：约25ns
　　下降时间(Tf)：约20ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-8

UTT16P10L-TN3-R采用先进的沟槽型MOSFET技术，确保了在P沟道器件中实现极低的导通电阻，从而显著降低导通损耗，提高系统整体能效。其RDS(on)在VGS = -10V时不超过1.0Ω，在VGS = -4.5V时也不超过1.3Ω，表明该器件即使在较低的栅极驱动电压下仍能保持良好的导通性能，适用于3.3V或5V逻辑电平直接驱动的应用场景。这种低导通电阻特性对于电池供电设备尤为重要，能够有效减少发热并延长续航时间。
　　该器件具有较低的栅极电荷（Qg ≈ 7.5nC），有助于减少开关过程中的驱动损耗，提升高频开关应用下的效率。同时，输入电容和反向传输电容较小，降低了米勒效应的影响，增强了器件在高速开关环境下的抗干扰能力与稳定性。此外，其较快的开启和关断时间（分别为约8ns和25ns）使得UTT16P10L-TN3-R非常适合用于高频DC-DC转换器和同步整流电路中，实现快速响应与高效能量传递。
　　UTT16P10L-TN3-R具备良好的热稳定性和鲁棒性，能够在-55°C至+150°C的宽结温范围内正常工作，适应严苛的工业与车载环境。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，可用于感性负载释放能量的路径。器件还具备一定的雪崩耐受能力，提升了在瞬态过压情况下的可靠性。SOP-8封装不仅节省空间，而且具备较好的散热性能，通过适当的PCB布局可进一步增强热管理效果。综合来看，这款P沟道MOSFET在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡，是中小功率电源管理设计的理想选择之一。

UTT16P10L-TN3-R广泛应用于各类需要高效、小型化P沟道功率开关的电子系统中。常见用途包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等内部的电池电源管理模块，作为高端负载开关或反向电流阻断元件，防止电池反接或备用电源回流。在DC-DC降压变换器中，常被用作上桥臂开关，配合控制器实现稳定的电压输出，尤其适用于输入电压较高（如12V或24V系统）但输出电流适中的场合。
　　该器件也适用于工业控制领域的电源分配单元、继电器替代方案、电机驱动电路中的H桥结构高端驱动部分，以及各类嵌入式系统的板级电源排序与隔离控制。由于其具备较高的漏源击穿电压（-100V），可在一定程度的浪涌电压下安全运行，适合用于存在电压波动的环境中。此外，在LED照明驱动、USB电源开关、热插拔控制器和电池充电/放电保护电路中也有广泛应用。
　　得益于其SOP-8小型封装和表面贴装特性，UTT16P10L-TN3-R特别适合自动化贴片生产，满足大批量制造需求。同时，其符合RoHS和无卤素要求，适用于绿色环保产品设计。在汽车电子辅助系统中，如车用摄像头、传感器供电模块等低压直流系统中也可找到其身影，提供可靠的电源控制功能。总体而言，该器件凭借其电气性能与封装优势，在多领域电源管理设计中展现出高度的通用性与实用性。

SI2301, AOD403, FDS6679, MCZ2301P, DMG2301U