类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：50V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：15A @ 25℃
　　脉冲漏极电流（Idm）：60A
　　导通电阻（Rds(on)）：22mΩ @ Vgs=10V, Id=7.5A
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ @ Vgs=4.5V, Id=7.5A
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷（Qg）：35nC @ Vgs=10V
　　输入电容（Ciss）：1300pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：490pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：28ns
　　工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220 / TO-252

UTT15N05具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻与高电流承载能力的结合，能够在高负载条件下有效降低功率损耗，提高系统整体效率。该器件的Rds(on)典型值仅为22mΩ（在Vgs=10V时），这意味着在通过大电流时产生的热量较少，从而减少了对散热系统的依赖，有助于缩小终端产品的体积。此外，UTT15N05具有较低的栅极驱动需求，Qg仅为35nC，使得它能够快速开启和关闭，适用于高频开关应用如同步整流、开关电源（SMPS）和PWM控制电路。
　　该MOSFET采用了先进的沟槽式工艺技术，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积下的电流密度，同时增强了器件的雪崩耐量和抗短路能力。其输入电容Ciss为1300pF，在同类产品中处于较低水平，有助于减少驱动电路的功耗并提升响应速度。输出电容Coss为490pF，有助于抑制电压尖峰，提升系统稳定性。此外，UTT15N05的阈值电压范围为2.0V至4.0V，兼容3.3V和5V逻辑电平驱动，便于与微控制器、驱动IC等直接接口，无需额外的电平转换电路。
　　在可靠性方面，UTT15N05通过了严格的工业级测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环等，确保在恶劣环境下长期稳定运行。器件的最大工作结温可达+150℃，具备良好的热保护特性。其封装采用标准TO-220或TO-252，便于安装散热片或进行PCB布局优化，适用于通孔插装和表面贴装两种生产工艺。综合来看，UTT15N05是一款性价比高、性能稳定的功率MOSFET，适用于多种中低压大电流开关应用场景。

UTT15N05广泛应用于各类需要高效功率开关的电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、DC-DC降压/升压转换器，其中它作为主开关管或同步整流管使用，凭借低Rds(on)和快速开关特性显著提升转换效率。在电池供电设备中，例如便携式仪器、电动工具和无人机电源管理系统中，UTT15N05可用于电池充放电控制、负载开关和过流保护电路，实现高效的能量管理。
　　在电机驱动领域，该器件可作为H桥电路中的功率开关元件，用于控制小型直流电机或步进电机的正反转和调速，适用于家电（如风扇、洗衣机）、办公自动化设备和工业控制系统。此外，UTT15N05还适用于逆变器电路，如太阳能微逆变器或UPS不间断电源中的DC-AC转换环节，承担能量传递和波形整形功能。
　　由于其良好的热特性和可靠性，UTT15N05也被用于LED照明驱动电源中，特别是在恒流源拓扑结构中作为开关调节元件。在消费类电子产品中，如电视、显示器、路由器等内部电源模块中，该MOSFET常用于次级侧同步整流或电压调节回路。工业控制板、PLC模块和传感器供电单元中也常见其身影，用于实现远程负载控制或隔离电源切换。总之，凡是涉及50V以下电压、15A左右电流的开关应用，UTT15N05都是一个可靠且经济的选择。

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