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GA1206Y183MXLBT31G 发布时间 时间:2025/6/3 15:22:22 查看 阅读:5

GA1206Y183MXLBT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,从而提高了整体效率并减少了能量损耗。
  此型号属于增强型N沟道MOSFET系列,能够适应高电流和高频工作的需求,广泛适用于工业、消费类电子产品以及通信设备领域。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:95A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:70nC
  开关速度:超高速
  封装形式:TO-247

特性

GA1206Y183MXLBT31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,可有效减少导通损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关性能,支持高频工作环境,适合现代电子设备的需求。
  3. 较高的电流承载能力,使其在大功率应用中表现出色。
  4. 内置ESD保护功能,增强了器件的稳定性和可靠性。
  5. 封装设计散热性能优越,有助于延长器件寿命。
  6. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。

应用

这款功率MOSFET广泛应用于各种电力电子设备中,具体包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关。
  2. DC-DC转换器的核心功率元件。
  3. 各类电机驱动电路中的开关器件。
  4. 太阳能逆变器中的功率管理模块。
  5. 工业控制系统的功率输出部分。
  6. 汽车电子设备中的负载切换控制。
  由于其出色的性能指标,该器件特别适合需要高效、快速响应的应用场合。

替代型号

IRF2807ZPBF
  FDP15N60
  STW45N60DM2

GA1206Y183MXLBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.018 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-