型号：UTT120N04
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：40V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25℃：120A
　　脉冲漏极电流（IDM）：480A
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：≤3.2mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：≤4.0mΩ
　　阈值电压（Vth）：1.0V~2.5V
　　栅极电荷（Qg）：典型值 75nC
　　输入电容（Ciss）：典型值 3800pF
　　输出电容（Coss）：典型值 950pF
　　反向恢复时间（trr）：45ns
　　工作结温范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）/TO-263（D2PAK）

UTT120N04采用先进的沟槽栅极技术和超结结构设计，显著降低了导通电阻与开关损耗，从而提升了整体能效。其低RDS(on)特性使其在大电流应用中表现出色，有效减少发热，提高系统可靠性。该器件具备出色的动态性能，包括较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），使得在高频开关条件下仍能保持较低的驱动功耗与快速响应能力，特别适用于同步整流、半桥/全桥拓扑等对开关速度要求较高的电路架构。器件的阈值电压适中，在保证良好开启特性的前提下避免了误触发风险，增强了系统的抗干扰能力。
　　此外，UTT120N04具有优良的热稳定性与长期可靠性，经过严格的高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）及温度循环测试，确保在恶劣工作环境下仍能稳定运行。其封装形式支持表面贴装与通孔安装，便于自动化生产与散热设计。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，有助于减少开关瞬间的电压尖峰与电磁干扰（EMI）。该MOSFET还具备较强的雪崩能量承受能力，提升了在异常工况下的耐受性。综合来看，UTT120N04凭借其高性能指标与稳健的设计，成为现代高密度电源系统中的理想选择之一。

UTT120N04广泛应用于各类高效率电源系统中，尤其适用于大电流、高频率切换的应用场景。常见于笔记本电脑、服务器、通信设备中的同步降压变换器（Buck Converter），作为上管或下管使用，能够有效降低导通损耗，提升转换效率。在电池供电系统如电动自行车、电动工具、无人机等设备中，该器件可用于电池保护板的充放电控制回路，实现低损耗、高可靠性的电流通断管理。此外，在DC-DC模块电源、LED驱动电源、逆变器与UPS不间断电源系统中，UTT120N04也发挥着关键作用，特别是在多相并联设计中，其低导通电阻与一致性良好的参数分布有利于均流控制与热管理。
　　工业自动化领域中，该MOSFET可用于电机驱动器的H桥电路，驱动直流电机或步进电机，提供快速响应与精准控制能力。在太阳能光伏逆变器或储能系统中，UTT120N04可作为同步整流元件，提升能量利用率。同时，由于其封装具备良好散热性能，也适用于紧凑型高功率密度设计，满足小型化趋势下的散热需求。总体而言，UTT120N04凭借其优异的电气特性与广泛的工作范围，已成为众多中低压大电流功率转换应用中的主流器件之一。

AP120N04K, APM120N04GC, SH8812, SI120N04