时间：2025/12/27 7:29:06
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UTT100P03是一款由优特半导体（UTT）推出的P沟道增强型MOS场效应晶体管，广泛应用于电源管理、负载开关、电池保护电路以及DC-DC转换等场景。该器件采用先进的沟槽栅极工艺制造，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点。UTT100P03特别适用于需要高效能和小封装尺寸的便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑、移动电源、可穿戴设备以及其他消费类电子产品。其P沟道结构允许在高端开关配置中实现简单驱动，无需额外的电荷泵电路，从而简化了系统设计并降低了整体成本。此外，该MOSFET具有良好的雪崩耐受能力和抗静电能力，提升了系统的可靠性和耐用性，在工业控制和汽车电子辅助电源系统中也具备一定的应用潜力。
UTT100P03通常采用SOT-23或SOT-323等小型表面贴装封装，便于在高密度PCB布局中使用，并支持自动化贴片生产。器件符合RoHS环保要求，无铅且绿色环保。为了确保长期稳定运行，建议在实际应用中结合适当的散热设计和栅极驱动保护电路，避免因过压、过流或热失控导致损坏。数据手册中提供了详细的电气特性曲线、热阻参数及安全工作区（SOA），供工程师进行精确的系统分析与设计优化。
型号：UTT100P03
极性：P沟道
漏源电压（VDS）：-30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-10A（@Tc=25℃）
脉冲漏极电流（IDM）：-28A
功耗（PD）：2.5W（@Tc=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：10mΩ（@VGS=-10V）；13mΩ（@VGS=-4.5V）
阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.0V
输入电容（Ciss）：1200pF（@VDS=15V）
反向恢复时间（trr）：未内置体二极管快恢复
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装类型：SOT-23/SOT-323（具体以厂商规格为准）
UTT100P03采用先进的沟槽型MOSFET工艺，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其核心优势之一在于低RDS(on)，在VGS=-10V条件下典型值仅为10mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源转换效率，特别适合大电流应用场景下的能量管理需求。该器件的栅极阈值电压范围为-1.0V至-2.0V，支持宽范围的逻辑电平驱动，能够兼容3.3V或5V微控制器直接控制，无需额外电平转换电路。同时，由于是P沟道结构，在高端开关应用中可以直接通过拉低栅极实现导通，简化了驱动设计复杂度。
该MOSFET具备出色的热稳定性与可靠性，结温可达150℃，能够在高温环境下持续稳定工作。其封装形式具有较低的热阻（θJC），有助于将内部产生的热量快速传导至PCB，提升整体散热效率。此外，器件内部集成的体二极管具有一定的反向恢复能力，虽然不适用于高频整流，但在瞬态电流回流或电感负载关断时能提供必要的续流路径，防止电压尖峰对系统造成损害。
UTT100P03还具备良好的抗静电能力（ESD）和抗浪涌能力，增强了在复杂电磁环境中的鲁棒性。制造过程中严格遵循AEC-Q101可靠性标准（若用于车规级产品线），确保批次一致性与长期使用的稳定性。此外，该器件在制造上采用无卤素材料和绿色封装技术，符合现代电子产品对环保的严苛要求。对于设计师而言，UTT100P03提供了高性能与高集成度的解决方案，尤其适用于空间受限但对效率和响应速度有较高要求的应用场合。
UTT100P03因其优异的电气性能和紧凑的封装尺寸，被广泛应用于多种电源管理和功率控制场景。在便携式电子设备中，常用于电池供电系统的正极开关控制，作为高端负载开关实现开机/待机模式切换，有效切断待机电流以延长续航时间。在DC-DC降压或升压变换器中，可用于同步整流或作为上桥臂开关元件，配合控制器实现高效能量转换。其低导通电阻特性使得在大电流输出条件下仍能保持较低温升，提高整体电源效率。
在电池管理系统（BMS）中，该器件可用于过放电保护、充电控制和短路保护等功能模块，配合检测IC实现双向电流阻断。此外，在热插拔电路设计中，UTT100P03可用于缓启动控制，限制浪涌电流，防止系统电压跌落影响其他模块正常运行。工业控制领域中，可用于继电器替代、电机驱动中的H桥低端开关或电源冗余切换电路。
由于其具备良好的温度稳定性和可靠性，也可应用于汽车电子中的低边开关、车载照明电源控制或车载充电器辅助电源部分。在消费类适配器、USB PD电源模块、无线充电发射端等产品中，同样可以发挥其快速响应和低损耗的优势。总体而言，UTT100P03适用于所有需要高效、小型化、高可靠性的P沟道MOSFET开关的应用环境。
AO3401A
Si2301DS
FDMC86263
