P6SMBJ6.0A T/R 是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的表面贴装(SMD)硅瞬态电压抑制二极管(TVS),用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌和瞬态电压的损害。该器件属于P6SMBJ系列,具有快速响应时间、高浪涌吸收能力和低钳位电压的特点。T/R表示该器件是以卷带(Tape and Reel)形式供应,适用于自动贴片设备。
类型:瞬态电压抑制二极管(TVS)
封装形式:SMB(DO-214AA)
工作电压:6.0V
最大反向关断电压(VRWM):6.0V
击穿电压(VBR):最小6.67V,典型7.4V,最大8.2V
最大钳位电压(VC):10.3V(在Ipp = 13.3A条件下)
最大脉冲电流(Ipp):13.3A
响应时间:小于1ps
工作温度范围:-55°C至+150°C
存储温度范围:-55°C至+150°C
安装方式:表面贴装(SMD/SMT)
P6SMBJ6.0A T/R 是一款高性能的瞬态电压抑制二极管,专为保护精密电子设备免受电压瞬变、静电放电和浪涌电流的损害而设计。该器件采用SMB表面贴装封装,具有较小的占板空间,适用于高密度PCB设计。其主要特性包括快速响应时间(小于1皮秒),能够在电压突变发生的瞬间迅速导通,将多余的能量引导至地,从而保护下游电路不受损害。
该TVS二极管的最大反向工作电压为6.0V,击穿电压范围为6.67V至8.2V,确保在正常工作电压下不会导通,而在电压超过安全阈值时迅速导通。其最大钳位电压为10.3V,在13.3A的峰值脉冲电流条件下仍能有效钳制电压,避免对敏感元件造成损害。这种低钳位电压特性使其适用于保护USB接口、通信端口、微处理器、存储器和电源管理IC等关键部件。
此外,P6SMBJ6.0A T/R具备高浪涌吸收能力,能够承受高达13.3A的峰值电流,符合IEC 61000-4-2 Level 4标准(ESD抗扰度最高级别),适用于工业、汽车和消费类电子产品。该器件的T/R(卷带包装)形式适用于自动化贴片生产线,提高了制造效率并降低了生产成本。由于其优异的电气特性和可靠的封装结构,P6SMBJ6.0A T/R广泛应用于各种需要高可靠性和高抗扰度的电子系统中。
P6SMBJ6.0A T/R 主要用于各种电子设备中,以保护电路免受静电放电(ESD)、电压浪涌和瞬态电压的损害。该器件适用于便携式电子产品,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑,用于保护USB接口、HDMI端口和电源输入端口。它也广泛应用于通信设备,如路由器、交换机和基站,以提高系统的稳定性和可靠性。此外,该TVS二极管还可用于工业控制系统、自动化设备和汽车电子模块,保护敏感的微处理器、存储器芯片和电源管理电路。由于其符合AEC-Q101汽车电子可靠性标准,因此在车载信息娱乐系统、车身控制模块和传感器接口中也有广泛应用。同时,该器件也适用于消费类电子产品,如数码相机、智能手表和可穿戴设备,以增强设备的抗干扰能力和使用寿命。
P6SMBJ6.0CA T/R, SMAJ6.0A, SMBJ6.0A, P6KE6.8A