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GA0805A680FBCBR31G 发布时间 时间:2025/6/5 10:14:48 查看 阅读:10

GA0805A680FBCBR31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT),专为高频、高效能功率转换应用而设计。该器件采用先进的封装工艺,具备卓越的开关性能和热管理能力,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动等场景。
  其内部结构经过优化,能够有效降低导通电阻和开关损耗,从而提高整体系统效率。此外,该器件还支持高频率操作,减少了磁性元件的体积,进一步提升了功率密度。

参数

型号:GA0805A680FBCBR31G
  类型:增强型场效应晶体管(eGaN FET)
  材料:氮化镓(GaN)
  额定电压:650V
  额定电流:20A
  导通电阻:40mΩ(典型值,@25°C)
  栅极电荷:9nC(典型值)
  反向恢复电荷:无(零反向恢复)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247-3

特性

GA0805A680FBCBR31G 的主要特点是其采用了氮化镓半导体材料,具有以下优势:
  1. 极低的导通电阻和开关损耗,显著提升效率。
  2. 零反向恢复电荷特性,适合高频应用。
  3. 良好的热稳定性和高温工作能力,确保在恶劣环境下的可靠性。
  4. 小巧的封装尺寸结合高效的散热设计,使功率密度最大化。
  5. 内置保护功能,包括过温保护和短路保护,增强了系统的安全性。
  此外,该器件具有快速开关速度,能够在MHz级别的频率下运行,非常适合现代高效能电力电子设备的需求。

应用

GA0805A680FBCBR31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):用于提高效率和减小体积。
  2. DC-DC转换器:在汽车电子、工业自动化等领域实现高效能量转换。
  3. 电机驱动:为电动工具、家电和其他设备提供精确控制。
  4. 充电器和适配器:支持快充协议,提供更高的充电效率。
  5. 可再生能源系统:如太阳能逆变器和储能系统中的功率调节模块。
  6. 数据中心电源:用于服务器和网络设备的高效供电方案。

替代型号

GAN065-020E6S
  GAN065R180B6S
  STGG065N060MDH

GA0805A680FBCBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容68 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-