GA0805A680FBCBR31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT),专为高频、高效能功率转换应用而设计。该器件采用先进的封装工艺,具备卓越的开关性能和热管理能力,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动等场景。
其内部结构经过优化,能够有效降低导通电阻和开关损耗,从而提高整体系统效率。此外,该器件还支持高频率操作,减少了磁性元件的体积,进一步提升了功率密度。
型号:GA0805A680FBCBR31G
类型:增强型场效应晶体管(eGaN FET)
材料:氮化镓(GaN)
额定电压:650V
额定电流:20A
导通电阻:40mΩ(典型值,@25°C)
栅极电荷:9nC(典型值)
反向恢复电荷:无(零反向恢复)
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247-3
GA0805A680FBCBR31G 的主要特点是其采用了氮化镓半导体材料,具有以下优势:
1. 极低的导通电阻和开关损耗,显著提升效率。
2. 零反向恢复电荷特性,适合高频应用。
3. 良好的热稳定性和高温工作能力,确保在恶劣环境下的可靠性。
4. 小巧的封装尺寸结合高效的散热设计,使功率密度最大化。
5. 内置保护功能,包括过温保护和短路保护,增强了系统的安全性。
此外,该器件具有快速开关速度,能够在MHz级别的频率下运行,非常适合现代高效能电力电子设备的需求。
GA0805A680FBCBR31G 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于提高效率和减小体积。
2. DC-DC转换器:在汽车电子、工业自动化等领域实现高效能量转换。
3. 电机驱动:为电动工具、家电和其他设备提供精确控制。
4. 充电器和适配器:支持快充协议,提供更高的充电效率。
5. 可再生能源系统:如太阳能逆变器和储能系统中的功率调节模块。
6. 数据中心电源:用于服务器和网络设备的高效供电方案。
GAN065-020E6S
GAN065R180B6S
STGG065N060MDH