型号：UTT100N75H
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源击穿电压（BVDSS）：750V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：3.0V ~ 4.5V
　　最大漏极电流（ID @ 25°C）：10A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：40A
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS=10V）：0.95Ω
　　栅极电荷（Qg typ）：65nC
　　输入电容（Ciss typ）：1100pF
　　输出电容（Coss typ）：180pF
　　反向恢复时间（trr）：45ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247

UTT100N75H的核心优势在于其采用了先进的沟槽栅技术和场板结构设计，有效降低了单位面积下的导通电阻，从而显著提升了器件的电流处理能力和能效表现。该MOSFET在750V的高耐压条件下仍能实现低于1Ω的典型导通电阻，这一指标在同类产品中处于领先水平，意味着在大功率应用中可大幅减少导通损耗，提升系统整体效率。同时，其较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss）使得开关速度更快，开关损耗更低，尤其适合高频开关电源应用，如服务器电源、通信电源和新能源逆变器等。
　　该器件还具备优异的热稳定性和长期可靠性，得益于高质量的硅片材料和封装工艺，能够在持续高温环境中稳定运行。其最大工作结温可达150°C，并支持宽范围的栅源电压操作（±20V），增强了实际使用中的安全性与灵活性。此外，UTT100N75H具有较强的抗雪崩能力和抗短路能力，能够在突发过压或负载异常情况下维持不损坏，提高了系统的鲁棒性。
　　在电磁兼容性方面，该MOSFET通过优化内部结构减少了开关过程中的电压尖峰和振荡现象，有利于降低EMI干扰，简化外围滤波电路的设计。同时，其快速的反向恢复时间配合体二极管特性，使其在连续导通模式PFC等应用中表现出色。TO-247封装提供了良好的散热路径，便于安装散热器，进一步提升功率密度和长期运行稳定性。综合来看，UTT100N75H是一款集高性能、高可靠性和高集成度于一体的高压MOSFET器件，适用于对效率和可靠性有严格要求的现代电力电子系统。

UTT100N75H广泛应用于各类高电压、中等电流的开关电源系统中，尤其是在需要高效率和高功率密度的场景下表现出色。典型应用包括工业级AC-DC开关电源、离线式反激变换器、有源功率因数校正（PFC）电路、LLC谐振半桥/全桥转换器以及太阳能微逆变器等新能源设备。在PFC升压电路中，该MOSFET作为主开关管能够高效地处理数百瓦至千瓦级别的功率，配合控制芯片实现接近Unity的功率因数，满足IEC 61000-3-2等国际谐波标准。
　　此外，UTT100N75H也常用于电机驱动系统中的高压侧开关，例如小型变频器、电动工具控制器和家用电器中的压缩机驱动模块。其高耐压特性使其能够适应电网波动较大的环境，保障系统稳定运行。在LED恒流驱动电源领域，尤其是户外大功率LED照明系统中，该器件可用于构建高效隔离型电源架构，提供稳定的直流输出电压。
　　在通信电源系统中，UTT100N75H可用于构建48V转12V或5V的DC-DC中间母线转换器，支持高频率工作以减小磁性元件体积，提升功率密度。同时，由于其具备良好的瞬态响应能力和较低的开关噪声，也适用于医疗设备、测试仪器等对电磁干扰敏感的应用场合。总之，只要涉及700V以上高压开关动作且对效率、可靠性和热管理有较高要求的电子系统，UTT100N75H都是一个极具竞争力的选择。

STF10NK75Z
　　FQP10N75
　　cHFP10N75H
　　KSE100N75