时间：2025/6/30 9:56:50
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RHP030N03T100 是一款 N 沟道功率 MOSFET，属于 Trench 工艺技术的低导通电阻器件。该产品专为高效率开关应用设计，具有极低的导通电阻和优化的开关性能，适用于各种工业、消费类及汽车电子领域。
型号：RHP030N03T100
类型：N 沟道功率 MOSFET
封装：TO-263 (DPAK)
Vds（漏源极电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：3mΩ（典型值，Vgs=10V）
Id（连续漏极电流）：50A
Qg（总栅极电荷）：34nC
EAS（雪崩能量）：2.8J
f（工作频率范围）：高达几百kHz
Tj（结温范围）：-55℃ 至 +175℃
RHP030N03T100 的主要特点是其超低的导通电阻和高效的开关性能，这使其非常适合于需要降低功耗的应用场景。
1. 极低的 Rds(on)，能够显著减少传导损耗，提升系统效率。
2. 采用 Trench 工艺，确保了更低的 Qg 和 Eoss 参数，从而优化了动态性能。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的耐用性。
4. 符合 RoHS 标准，并具有出色的热稳定性，适合高可靠性要求的环境。
5. 封装形式为 TO-263，具备良好的散热性能。
这款 MOSFET 广泛应用于需要高效功率转换和开关的场景中。
1. 开关电源 (SMPS)，如适配器、充电器等。
2. 电机驱动电路，包括直流无刷电机控制。
3. 逆变器和 UPS 系统中的功率级开关。
4. 负载切换和保护电路。
5. 汽车电子中的 DC-DC 转换器以及车身控制系统。
6. 各种工业自动化设备中的功率管理模块。
RFP30N06LE, IRFZ44N, FDP15N10
