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UTT100N08MG-K08-5060-R 发布时间 时间:2025/12/27 8:58:45 查看 阅读:13

UTT100N08MG-K08-5060-R是一款由United Silicon Technology(UTT)推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的沟槽式场效应晶体管技术制造,专为高效率电源转换和功率开关应用设计。该器件具有低导通电阻(RDS(on))、高开关速度和优良的热稳定性,适用于多种工业、消费类及通信电源系统。其封装形式为TO-252(DPAK),具备良好的散热性能和可靠性,适合在紧凑型电源模块中使用。
  该型号中的‘100N08’表示其额定电压为80V,连续漏极电流可达100A,而‘MG’通常代表产品系列或性能等级,‘K08-5060-R’则可能为特定批次、卷带包装规格或客户定制代码。该器件符合RoHS环保要求,支持无铅焊接工艺,广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统、服务器电源及LED驱动等场景。
  UTT作为国内领先的半导体制造商,致力于提供高性价比的功率器件解决方案,UTT100N08MG-K08-5060-R在性能上对标国际主流品牌如Infineon、ON Semiconductor和STMicroelectronics的同类产品,在成本控制和本地化服务方面具备优势。通过优化栅极结构和降低寄生电容,该MOSFET实现了快速开关响应,减少开关损耗,提升整体系统效率。同时,内置体二极管可为感性负载提供反向电流路径,增强电路鲁棒性。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(VDS):80V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):100A @ 25°C
  脉冲漏极电流(IDM):400A
  导通电阻(RDS(on) max):4.5mΩ @ VGS = 10V
  导通电阻(RDS(on) max):5.8mΩ @ VGS = 4.5V
  阈值电压(Vth):2.0V ~ 4.0V
  输入电容(Ciss):10000pF
  输出电容(Coss):2500pF
  反向传输电容(Crss):350pF
  栅极电荷(Qg):220nC @ VGS = 10V
  上升时间(tr):80ns
  下降时间(tf):60ns
  工作结温范围(Tj):-55°C ~ +175°C
  封装:TO-252 (DPAK)

特性

UTT100N08MG-K08-5060-R采用先进的沟槽栅极技术和超结结构优化设计,显著降低了导通电阻与开关损耗之间的权衡关系,使其在高频率开关应用中表现出色。其低至4.5mΩ的RDS(on)确保在大电流条件下仍能保持较低的功耗,有效减少发热并提升系统能效。该器件的栅极电荷(Qg)仅为220nC,意味着驱动电路所需的能量更少,有助于简化驱动设计并降低驱动IC的成本,特别适合高频PWM控制场合。
  该MOSFET具有优异的热稳定性和长期可靠性,经过严格的高温反偏(HTRB)、高温栅极偏置(HTGB)和温度循环测试验证,能够在恶劣环境下长时间稳定运行。其最大结温高达175°C,允许在高温环境中降额使用,提升了系统的安全裕度。此外,器件内部的体二极管具有较快的反向恢复特性,减少了在桥式电路或电机驱动中因反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰问题。
  TO-252封装不仅提供了良好的机械强度,还具备出色的散热能力,可通过PCB上的铜箔或散热片将热量迅速导出,避免局部过热导致性能下降或失效。该封装形式易于自动化贴装,适用于大规模生产。器件符合JEDEC标准的湿度敏感等级1(MSL1),无需烘烤即可进行回流焊,提高了生产效率。
  在EMI性能方面,UTT100N08MG-K08-5060-R通过优化芯片布局和降低寄生参数,有效抑制了高频噪声的产生,增强了系统的电磁兼容性。同时,其±20V的栅源电压耐受能力使其在存在电压瞬变的环境中更具鲁棒性,防止因栅极过压导致的击穿故障。

应用

UTT100N08MG-K08-5060-R广泛应用于各类中高功率电源系统中,尤其适用于需要高效、高电流密度和小型化设计的场合。典型应用场景包括同步整流式DC-DC降压/升压转换器,特别是在服务器主板VRM(电压调节模块)、笔记本电脑适配器和通信电源中,作为主开关管或同步整流管使用,能够显著提升转换效率并降低温升。
  在电机驱动领域,该器件可用于直流无刷电机(BLDC)或步进电机的H桥驱动电路中,凭借其低导通电阻和快速开关能力,实现精确的电流控制和高效的能量传输,适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备。此外,在电池管理系统(BMS)中,它可作为充放电控制开关,用于隔离电池组与负载或充电器,保障系统安全。
  该MOSFET也常见于LED恒流驱动电源中,特别是在大功率户外照明、景观灯和车灯应用中,作为主控开关元件参与PWM调光控制,确保灯光亮度稳定且无频闪。在太阳能逆变器和储能系统中,其高电流承载能力和耐高温特性使其适用于MPPT控制器和并网逆变桥臂,提高能源转换效率。
  由于其高性价比和稳定供货能力,该器件也被广泛用于工业电源、UPS不间断电源、电子负载以及各类AC-DC和DC-AC转换模块中,满足对可靠性和成本敏感的应用需求。

替代型号

UT100N08, FDB100N80, STP100N8F6, IPB090N8S3-08, AOTF100N80

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