型号：UTN3055G-TN3-R
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5.4A（@Tc=70℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：21.6A
　　最大功耗（Pd）：1.25W（@Ta=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：18mΩ（@Vgs=10V）；22mΩ（@Vgs=4.5V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：520pF（@Vds=15V）
　　输出电容（Coss）：190pF（@Vds=15V）
　　反向传输电容（Crss）：50pF（@Vds=15V）
　　开启延迟时间（td(on)）：8ns
　　上升时间（tr）：28ns
　　关断延迟时间（td(off)）：22ns
　　下降时间（tf）：15ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：SOT-23

UTN3055G-TN3-R具备优异的电气性能和热管理能力，其低导通电阻特性显著降低了在导通状态下的功率损耗，从而提高了整体系统的能效。在Vgs=10V时，Rds(on)仅为18mΩ，即使在较低的栅极驱动电压如4.5V下，也能保持22mΩ的低阻值，这使得该器件兼容3.3V和5V逻辑驱动电路，适用于现代低电压控制系统。器件的阈值电压范围为1.0V至2.0V，确保在较低的栅极电压下即可实现快速开启，增强了其在电池供电设备中的适用性。
　　该MOSFET采用先进的沟槽型工艺制造，优化了载流子迁移路径，提升了电流处理能力和开关速度。其输入电容（Ciss）为520pF，在高频开关应用中表现出良好的响应特性，同时较低的输出电容和反馈电容减少了开关过程中的能量损耗，有助于提升转换效率。开关时间参数表现优异，开启延迟时间为8ns，上升时间为28ns，关断延迟时间为22ns，下降时间为15ns，这些特性使其非常适合用于高频DC-DC变换器和同步整流电路。
　　SOT-23封装不仅体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，而且具备良好的散热性能。尽管封装尺寸小，但通过优化内部结构和材料选择，UTN3055G-TN3-R仍能承受高达1.25W的功耗（在25℃环境温度下），并可在结温高达150℃的环境下稳定运行，体现了其出色的热稳定性。此外，该器件具有较强的抗静电能力（ESD保护），提升了在自动化装配过程中的可靠性。综合来看，UTN3055G-TN3-R在性能、尺寸和可靠性方面均表现出色，是一款适用于多种电源管理场景的高性能MOSFET。

UTN3055G-TN3-R广泛应用于各类中小型功率电子系统中，尤其适用于需要高效、紧凑设计的便携式设备。典型应用包括移动电源、智能手机和平板电脑中的负载开关与电源管理模块，用于控制电池与各功能模块之间的通断，实现节能与安全保护。在DC-DC升压或降压转换器中，该器件可作为同步整流开关使用，显著降低导通损耗，提高转换效率。此外，它也常用于LED驱动电路中，作为恒流控制的开关元件，提供稳定的亮度输出。
　　在电机驱动领域，UTN3055G-TN3-R可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，实现正反转控制和调速功能，适用于玩具、微型机器人和小型家电等应用场景。由于其具备良好的开关特性和热稳定性，也可用于各类电源多路复用器、热插拔控制器和过流保护电路中，作为主控开关器件。在电池充电管理电路中，该MOSFET可用于充放电路径的切换与隔离，防止反向电流和过放电现象的发生。
　　此外，该器件还适用于各种消费类电子产品，如蓝牙耳机、智能手表、无线路由器等内部的电源开关与电压调节模块。其SOT-23封装便于自动化贴片生产，适合大规模量产。在工业控制领域，UTN3055G-TN3-R可用于传感器供电控制、继电器驱动接口和低功率执行器控制电路中。总体而言，该器件凭借其高效率、小尺寸和高可靠性，已成为现代电子设备中不可或缺的功率开关元件之一。

FDS6679A