类型：增强型氮化镓场效应晶体管
　　漏源电压（VDS）：650V
　　连续漏极电流（ID）：30A
　　脉冲漏极电流（IDM）：120A
　　导通电阻（RDS(on)）：60mΩ
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：4.0V
　　最大栅源电压（VGS max）：+6.5V / -4V
　　输入电容（Ciss）：4000pF
　　输出电容（Coss）：1100pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：0C
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SMD-8（LGA）
　　安装方式：表面贴装
　　极性：N沟道
　　关断延迟时间（td(off)）：25ns
　　上升时间（tr）：18ns
　　下降时间（tf）：15ns

UTM6006G-S08-R的核心特性源于其采用的第四代氮化镓技术，该技术显著提升了器件的动态性能和可靠性。首先，其60mΩ的低导通电阻结合650V的耐压能力，在同类产品中实现了优异的品质因数（RDS(on) × Qg），这意味着在相同条件下，器件能够以更低的传导损耗和更少的驱动能量实现高效开关操作。该器件的栅极结构经过优化，具有稳定的阈值电压（约4.0V）和宽裕的栅源电压容限（+6.5V/-4V），有效防止误开启并提升系统鲁棒性。特别值得一提的是，UTM6006G-S08-R为增强型设计，即在零栅极偏置下处于关断状态，这极大简化了驱动电路的设计复杂度，使其可直接兼容标准硅基MOSFET驱动器，无需额外的负压关断电源，降低了整体系统成本和设计难度。
　　其次，该器件展现出卓越的开关性能。由于氮化镓材料本身具有极高的电子迁移率和临界电场强度，UTM6006G-S08-R在高频开关应用中表现尤为突出。其输入电容和输出电容分别仅为4000pF和1100pF，显著低于同等规格的硅MOSFET，从而大幅降低开关过程中的充放电能量损耗。此外，器件无体二极管，因此不存在传统硅器件中的反向恢复电荷（Qrr为0），彻底消除了反向恢复带来的开关尖峰和能量损耗，提升了系统效率并减少了电磁干扰（EMI）。这一特性在硬开关和图腾柱PFC拓扑中尤为重要。
　　在热管理和可靠性方面，UTM6006G-S08-R采用低热阻封装设计，确保热量能高效传递至PCB，支持长期稳定运行于高达150°C的结温环境。其8引脚封装不仅提供良好的电气连接，还增强了机械稳定性，适用于严苛工业和汽车级应用环境。此外，器件通过了严格的可靠性测试，包括高温高压栅极偏置（HV-H3TRB）、温度循环（TC）和高湿高偏压（H3TRB）等，符合AEC-Q101等车规级标准，适用于高要求的应用场景。

UTM6006G-S08-R广泛应用于需要高效率、高功率密度和高频开关性能的现代电力电子系统。在数据中心和服务器电源中，它被用于图腾柱无桥PFC（功率因数校正）电路，利用其零反向恢复特性显著提升能效，满足80 PLUS钛金等级要求。在通信电源和电信整流器中，该器件可用于LLC谐振转换器或移相全桥拓扑，实现高频率运行以减小磁性元件体积，提高系统功率密度。在可再生能源领域，UTM6006G-S08-R适用于光伏微型逆变器和储能系统的DC-DC转换级，其快速开关能力和低损耗特性有助于提升能源转换效率。在电动汽车相关应用中，该器件可用于车载充电机（OBC）和DC-DC变换器模块，支持高集成度和轻量化设计。此外，该器件也适用于工业电机驱动、高端UPS不间断电源以及高密度适配器和充电器等消费类电源产品。凭借其出色的性能和可靠性，UTM6006G-S08-R成为替代传统硅MOSFET和超级结器件的理想选择，推动电源系统向更高效率和更小体积发展。

UTM6006K-S08-R
　　UTM6003K-S08-R
　　UJ6060K-T1-S08
　　GS-065BMS-EPC