UTM4953 时间：2025/12/27 7:25:21 阅读：13

UTM4953是一款由UTC（友顺科技）推出的N沟道和P沟道组合的MOSFET阵列，广泛应用于电源管理、负载开关、电池保护电路以及电机驱动等场合。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术制造，具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性等特点。UTM4953集成了一个P沟道MOSFET和一个N沟道MOSFET，封装形式通常为SOP-8或类似的小型表面贴装封装，适合在空间受限的应用中使用。该芯片设计用于实现双向电流控制或半桥驱动功能，能够在较宽的电压范围内稳定工作，适用于便携式设备、消费类电子产品及工业控制领域。
　　UTM4953的引脚布局经过优化，便于PCB布线，并且内部结构具备良好的隔离性能，防止寄生导通。其栅极驱动电压兼容标准逻辑电平，可直接由微控制器或其他数字信号源驱动，无需额外的电平转换电路。此外，该器件还具备一定的ESD保护能力，提升了系统在实际应用中的可靠性。由于其集成度高，使用UTM4953可以有效减少外围元件数量，降低整体方案成本并提高系统可靠性。

参数

类型：N+P沟道组合MOSFET
　　连续漏极电流（ID）：3A（N-MOS）、-3A（P-MOS）
　　漏源电压（VDS）：±30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：65mΩ（N-MOS，@VGS=10V）、75mΩ（P-MOS，@|VGS|=10V）
　　阈值电压（Vth）：1V ~ 2.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-8

特性

UTM4953的最大优势在于其将互补型MOSFET集成于单一芯片内，极大地简化了电路设计。N沟道MOSFET具有较低的导通电阻，能够有效降低导通损耗，提升系统效率；而P沟道MOSFET则适用于高端开关应用，尤其在电池供电系统中作为主控开关使用时表现出色。两者协同工作，可构建高效的半桥或H桥驱动电路，用于直流电机控制、继电器驱动或LED调光等场景。该器件的栅极阈值电压范围适中，在3V至5V逻辑电平下即可完全导通，因此兼容3.3V和5V数字控制系统，无需外加驱动芯片，降低了整体功耗与复杂度。
　　UTM4953采用了先进的封装工艺，具备优良的散热性能，即使在较高负载条件下也能保持稳定的温升表现。芯片内部的热关断保护机制进一步增强了其在异常工况下的安全性。同时，由于N沟道和P沟道MOSFET共享源极或共用部分接地结构，设计时需注意避免交叉导通问题，建议配合死区时间控制逻辑使用以确保安全切换。该器件还具备较强的抗干扰能力，输入端对噪声不敏感，适合在电磁环境复杂的工业现场使用。
　　在制造工艺方面，UTM4953基于高可靠性硅基工艺生产，经过严格的老化测试和质量管控，保证了长期使用的稳定性和一致性。其小型化的SOP-8封装不仅节省PCB面积，而且支持自动化贴片生产，有利于大规模量产。此外，该芯片符合RoHS环保要求，无铅焊接兼容，满足现代绿色电子产品的设计标准。综合来看，UTM4953是一款性价比高、应用灵活且可靠性强的双沟道MOSFET解决方案，特别适合中小功率电源切换与驱动控制应用。

应用

UTM4953常用于各类需要双向开关或高低边驱动的电子系统中。典型应用场景包括便携式设备的电池充放电管理模块，其中P沟道MOSFET用于控制电池正极通断，N沟道MOSFET用于接地路径的同步整流或电流检测。在移动电源、蓝牙耳机、智能手表等产品中，该芯片可用于实现低静态功耗的电源路径管理。此外，在电机驱动电路中，UTM4953可作为半桥单元的核心开关元件，配合PWM信号实现直流电机的速度与方向控制。
　　在LED照明驱动方案中，UTM4953可用于构建同步降压或升降压拓扑结构中的开关对管，提高能效并减小体积。它也适用于各类负载开关电路，例如USB接口过流保护、热插拔控制、多电源选择切换等场合。由于其具备良好的瞬态响应能力和较低的导通压降，能够有效减少发热，延长设备使用寿命。在工业控制领域，该器件还可用于PLC输出模块、传感器供电控制以及小型继电器驱动等任务，提供稳定可靠的开关性能。总之，凡是需要高效、紧凑且低成本MOSFET组合解决方案的地方，UTM4953都是一个理想的选择。