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MRF858 发布时间 时间:2025/9/3 12:16:02 查看 阅读:12

MRF858 是一款由 NXP(恩智浦)公司生产的高功率射频晶体管(RF Power Transistor),专为高频率、高功率的射频应用而设计。该器件采用双极型晶体管(BJT)结构,适用于广播、工业加热、射频放大器和通信系统等多种应用场景。MRF858 通常用于甚高频(VHF)至超高频(UHF)范围内的射频功率放大任务,能够提供较高的输出功率和良好的热稳定性。

参数

类型:双极型射频功率晶体管(BJT)
  最大集电极电流(Ic):50A
  最大集电极-发射极电压(Vce):65V
  最大功率耗散(Ptot):250W
  频率范围:1MHz ~ 500MHz
  增益(Gp):约14dB @ 225MHz
  输入/输出阻抗:50Ω标准匹配
  封装形式:TO-247
  工作温度范围:-65°C ~ +150°C

特性

MRF858 的核心特性在于其卓越的射频功率处理能力,能够在高达500MHz的频率范围内提供稳定的性能。该器件设计有低热阻封装,使得在高功率操作时能保持较低的结温,从而提高器件的可靠性和使用寿命。此外,MRF858 内部已进行输入和输出匹配,简化了外围电路的设计,降低了工程师在射频放大器设计中的复杂度。
  该晶体管具有较高的功率增益,在典型工作频率(如225MHz)下可提供约14dB的增益,适用于需要中等增益和高输出功率的系统。MRF858 的50Ω标准阻抗匹配使其能够方便地与常见的射频系统接口连接,减少了额外的匹配网络需求。
  其宽广的工作频率范围和高功率能力使其适用于多种射频应用,如广播发射机、工业加热系统、医疗射频设备以及各类通信基础设施。MRF858 还具有良好的线性度和失真性能,适合用于需要高保真信号放大的场景。

应用

MRF858 主要用于需要高功率射频输出的系统中,如广播发射机(如FM广播或电视发射机)、工业射频加热设备、射频测试设备、通信基站中的射频放大模块,以及医疗设备中的射频能量发生装置。此外,它也常用于业余无线电设备和高功率射频放大器设计中。由于其高频性能和高可靠性,MRF858 在工业和通信领域中被广泛采用。

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MRF858AC、MRF858LC、MRF858DC、MRF858M

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