时间：2025/5/29 20:49:16
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UTF3055G-AA3-R 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率电子领域。该型号属于超低导通电阻的功率 MOSFET，具有出色的开关特性和热性能，适用于需要高效率和高可靠性的电路设计。
这款器件采用了先进的制造工艺，能够在高频条件下实现高效能量转换，并具备较高的耐用性，适合驱动大电流负载。其封装形式为 TO-263（DPAK），支持表面贴装技术，便于自动化生产。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：74A
导通电阻（典型值）：1.6mΩ
栅极电荷：48nC
总电容（输入电容）：2930pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263（DPAK）
1. 超低导通电阻，可显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高电流处理能力，适合大功率应用。
3. 快速开关速度，有助于减少开关损耗。
4. 强大的雪崩能力和高可靠性，能够承受瞬态电压冲击。
5. 小尺寸封装设计，节省 PCB 空间，同时支持表面贴装技术，简化装配流程。
6. 工作温度范围宽广，适应恶劣环境下的运行需求。
7. 符合 RoHS 标准，环保无铅。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC 转换器的核心元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 电池管理系统的充放电控制。
5. 工业设备中的负载切换。
6. 汽车电子系统中的功率调节。
7. LED 照明驱动电路中的电流调节。
IRF3710, SI4846DY, FDP5500NL
