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BSZ120P03NS3E G 发布时间 时间:2025/5/30 15:37:22 查看 阅读:4

BSZ120P03NS3E G是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器和负载开关等领域。该器件采用SOT-23封装形式,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合于需要高效能和小型化设计的电路中。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  持续漏极电流:0.4A
  导通电阻:0.9Ω(典型值,当Vgs=4.5V时)
  栅极电荷:3nC(典型值)
  总电容:16pF(典型值)
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

BSZ120P03NS3E G的主要特点是其低导通电阻和小尺寸封装,这使其非常适合便携式电子设备中的电源管理应用。
  1. 高效性:低导通电阻可以减少功率损耗,从而提高系统效率。
  2. 小型化设计:SOT-23封装节省了PCB空间,非常适合空间受限的应用场景。
  3. 快速开关性能:较小的栅极电荷和较低的输入电容使器件能够实现快速开关,从而降低开关损耗。
  4. 稳定性:在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气性能,确保可靠性。

应用

这款MOSFET广泛应用于各种电子领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源和稳压器:
   - DC-DC转换器
   - 负载点(PoL)转换器
  2. 电池管理系统:
   - 手机和平板电脑中的电池保护电路
   - 充电控制器
  3. 信号切换:
   - 多路复用器和解复用器中的开关
  4. 消费类电子产品:
   - USB充电端口保护
   - 耳机放大器的开关
  此外,它还适用于工业控制和汽车电子中的简单开关功能。

替代型号

AO3400A
  FDMT3370
  IRLML6401

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BSZ120P03NS3E G参数

  • 数据列表BSZ120P03NS3E G
  • 标准包装5,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C40A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.9V @ 73µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs45nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3360pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SP000709730