BSZ120P03NS3E G是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器和负载开关等领域。该器件采用SOT-23封装形式,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合于需要高效能和小型化设计的电路中。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±8V
持续漏极电流:0.4A
导通电阻:0.9Ω(典型值,当Vgs=4.5V时)
栅极电荷:3nC(典型值)
总电容:16pF(典型值)
工作结温范围:-55℃至+150℃
BSZ120P03NS3E G的主要特点是其低导通电阻和小尺寸封装,这使其非常适合便携式电子设备中的电源管理应用。
1. 高效性:低导通电阻可以减少功率损耗,从而提高系统效率。
2. 小型化设计:SOT-23封装节省了PCB空间,非常适合空间受限的应用场景。
3. 快速开关性能:较小的栅极电荷和较低的输入电容使器件能够实现快速开关,从而降低开关损耗。
4. 稳定性:在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气性能,确保可靠性。
这款MOSFET广泛应用于各种电子领域,包括但不限于以下方面:
1. 开关电源和稳压器:
- DC-DC转换器
- 负载点(PoL)转换器
2. 电池管理系统:
- 手机和平板电脑中的电池保护电路
- 充电控制器
3. 信号切换:
- 多路复用器和解复用器中的开关
4. 消费类电子产品:
- USB充电端口保护
- 耳机放大器的开关
此外,它还适用于工业控制和汽车电子中的简单开关功能。
AO3400A
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