类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：650V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：3A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：50A（单半波，60Hz）
　　正向电压（VF）：典型值1.55V @ 3A, 25°C；最大值1.75V @ 3A, 25°C
　　反向漏电流（IR）：典型值10μA @ 25°C，最大值200μA @ 125°C
　　反向恢复电荷（Qrr）：近似为0（无少子存储）
　　结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-252 (D-Pak)
　　安装方式：表面贴装
　　热阻（RθJC）：约2.5°C/W
　　极性：阴极标记明确标识于封装顶部

UTD436L-TM3-T的核心优势在于其基于碳化硅材料的肖特基二极管结构，这种结构从根本上消除了传统硅PIN二极管中存在的少数载流子注入与存储现象，从而实现了近乎理想的开关行为。在实际应用中，这意味着该器件在从导通状态切换到截止状态时不会产生明显的反向恢复电流尖峰，这不仅大幅降低了开关损耗，还减少了对主开关器件（如MOSFET或IGBT）的压力，避免了因反向恢复引起的电压振荡和应力增加。此外，由于没有恢复电荷（Qrr ≈ 0），系统的电磁干扰（EMI）水平显著下降，有助于简化滤波电路设计并提升整体EMC性能。
　　该器件的正向压降（VF）控制在较低水平，在3A电流下典型值仅为1.55V，相较于同类碳化硅二极管具有竞争力，有利于降低导通损耗，提高能效。同时，其温度系数表现良好，随着结温升高，VF略有上升但变化平缓，使得多管并联使用时的电流均衡更为容易。在高温环境下，UTD436L-TM3-T展现出卓越的稳定性，即使在125°C以上工作，反向漏电流仍保持在可接受范围内，确保长期运行的可靠性。
　　TO-252封装提供了良好的机械强度和热传导能力，配合PCB上的大面积铜箔敷设，可以有效将热量从PN结传导至电路板，实现高效的自然散热或强制风冷。该封装也支持自动化贴片工艺，适合大规模生产。器件符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规级可靠性认证，表明其在振动、湿度、温度循环等恶劣条件下具备出色的耐用性，适用于新能源汽车车载充电机（OBC）、DC-DC转换器等对安全性和寿命要求极高的领域。

UTD436L-TM3-T广泛应用于需要高效率、高频操作和高温稳定性的电力电子系统中。典型应用包括服务器和通信电源中的功率因数校正（PFC）电路，作为升压二极管使用，能够在连续导通模式（CCM）或临界导通模式（CrM）下提供极低的开关损耗和稳定的性能表现。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于直流侧防反二极管或MPPT电路中的续流元件，利用其快速响应能力和低损耗特性提升系统整体转换效率。此外，在电动汽车的车载充电机（OBC）和高压DC-DC转换器中，UTD436L-TM3-T因其车规级认证和宽温域工作能力而被广泛采用，能够满足新能源汽车对小型化、轻量化和高可靠性的需求。
　　工业电机驱动系统中，该二极管常用于IGBT或SiC MOSFET模块的续流路径，用以吸收感性负载产生的反电动势，防止电压击穿。由于其零反向恢复特性，可显著降低换流过程中的能量损耗和电压过冲风险，提升驱动系统的动态响应速度与稳定性。在高密度电源适配器、LED驱动电源及高端消费类电子产品电源模块中，UTD436L-TM3-T也有广泛应用，帮助实现更高的功率密度和更低的工作温升。此外，该器件还可用于不间断电源（UPS）、储能系统以及各类AC-DC和DC-DC变换拓扑结构中，如LLC谐振转换器、Boost升压电路、Flyback反激电源等，充分发挥其在高频开关环境下的性能优势。

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