型号：UTD420G-TN3-R
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：DFN2530-8L
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：16A @ 70°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：64A
　　导通电阻(RDS(on))：4.2mΩ @ VGS=10V, 6.5mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容(Ciss)：1920pF @ VDS=15V
　　输出电荷(Qgd)：13nC @ VDS=15V
　　工作温度范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃

UTD420G-TN3-R采用了先进的沟槽式场效应晶体管结构，这种设计显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效。其典型RDS(on)仅为4.2mΩ（在VGS=10V条件下），即使在大电流负载下也能保持较低的温升，有助于提升系统的热稳定性。该器件的低栅极电荷Qg和跨导特性使其具备快速开关能力，有效降低开关过程中的能量损耗，特别适合高频开关电源应用，例如同步降压变换器或多相VRM设计。
　　该MOSFET的DFN2530-8L封装不仅体积小巧（约2.5mm x 3.0mm），还集成了暴露焊盘以增强散热性能，使热量能够高效地传导至PCB，进一步提升功率密度。封装底部的大面积铜焊盘设计可配合PCB上的热过孔布局实现良好的热管理，延长器件寿命并提高系统可靠性。此外，该封装支持自动化贴片工艺，适用于大规模SMT生产线，提升了制造效率和产品一致性。
　　UTD420G-TN3-R具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或电感反冲情况下承受一定的能量冲击，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。其栅氧化层经过严格工艺控制，确保了长期使用的耐久性和稳定性。同时，±20V的栅源电压容限使得该器件在驱动电路设计上更具灵活性，兼容多种常见的驱动IC输出电平，避免因电压波动导致的栅极击穿风险。
　　该器件的工作结温范围达到-55℃至+150℃，可在严苛的环境温度下稳定运行，适用于工业级和汽车电子外围应用。其低阈值电压特性允许使用逻辑电平信号直接驱动，在低电压控制系统中无需额外电平转换电路，简化了设计复杂度。综合来看，UTD420G-TN3-R凭借其优异的电气性能、紧凑封装和高可靠性，成为现代高效电源系统中极具竞争力的选择。

UTD420G-TN3-R主要应用于各类中低压直流电源管理系统中，尤其适用于需要高效率和小尺寸封装的场合。常见应用包括同步整流型DC-DC降压变换器（Buck Converter），在这些电路中作为高端或低端开关使用，利用其低导通电阻和快速开关特性来减少能量损耗，提高转换效率。它也广泛用于服务器、笔记本电脑、路由器等设备的主板电源模块中，承担核心电压调节任务。
　　在电池供电设备中，如移动电源、电动工具和便携式医疗仪器，UTD420G-TN3-R可用于电池保护电路或充放电路径的通断控制，因其低内阻可减少电池能量浪费，延长续航时间。此外，该器件还可作为负载开关（Load Switch）用于电源域隔离，防止系统待机时产生漏电流，满足节能需求。
　　在电机驱动和LED驱动电路中，该MOSFET可用于PWM调光或速度控制，其快速响应能力确保了精确的功率调节。在热插拔控制器和电源排序电路中，UTD420G-TN3-R也能发挥出色的电流控制性能。由于其良好的热性能和高电流承载能力，该器件同样适用于多相电源设计中的并联使用，分担电流以降低单个器件的热应力。
　　此外，UTD420G-TN3-R还可用于逆变器、适配器、USB PD快充模块等新兴电源产品中，特别是在追求小型化和高集成度的设计趋势下，其DFN封装优势尤为突出。总体而言，该器件适用于所有要求高效率、高功率密度和高可靠性的中低电压功率开关场景。

[
　　 "UTD420G",
　　 "AOZ5238EQI",
　　 "CSD17577Q2",
　　 "SISS10DN,DMG1012UFG"
　　]