型号：UTD413L-TM3-T
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOT-23-3
　　极性：N-Channel
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：4.1A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(Id_pulse)：16.4A
　　导通电阻(Rds(on))：18mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻(Rds(on))：22mΩ @ Vgs=4.5V
　　导通电阻(Rds(on))：26mΩ @ Vgs=2.5V
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容(Ciss)：590pF @ Vds=15V
　　输出电容(Coss)：170pF @ Vds=15V
　　反向传输电容(Crss)：50pF @ Vds=15V
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　功率耗散(Pd)：1W @ 25°C

UTD413L-TM3-T具备出色的导通性能与开关响应能力，其核心优势在于低导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V条件下仅为18mΩ，在Vgs=4.5V时也保持在22mΩ的低水平，这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。尤其在电池供电设备中，这种低Rds(on)特性有助于延长续航时间并减少发热问题。该器件的栅极阈值电压典型值为1.0V至2.0V之间，使其能够被现代低电压逻辑信号（如3.3V或甚至1.8V控制器输出）有效驱动，增强了与微控制器、逻辑门电路及专用电源管理IC的兼容性。
　　在高频开关应用中，UTD413L-TM3-T表现出优良的动态特性。其输入电容Ciss为590pF，输出电容Coss为170pF，反向传输电容Crss为50pF，这些电容参数相对较低，意味着器件在开关过程中所需的驱动能量较少，从而降低驱动电路负担，并支持更高的开关频率运行。这对于提高DC-DC转换器的工作效率、减小外围滤波元件体积具有重要意义。
　　该MOSFET采用SOT-23-3封装，尺寸小巧（约2.9mm x 1.3mm x 1.1mm），非常适合高密度PCB布局，特别适用于空间受限的便携式设备。尽管封装较小，但其热设计仍经过优化，可在良好散热条件下实现高达1W的功率耗散能力。同时，最大漏源电压为30V，适用于12V或24V以下的低压电源系统，覆盖了大多数工业控制、消费电子和物联网设备的需求。
　　可靠性方面，UTD413L-TM3-T通过了严格的生产测试，具备良好的抗静电能力（HBM ESD耐压达±2000V以上），并在高温高湿环境下表现出稳定的长期工作性能。其工作结温范围从-55°C到+150°C，适应宽温环境下的应用场景，包括汽车电子外围模块、工业传感器节点等严苛条件下的使用需求。

UTD413L-TM3-T主要应用于需要高效、小型化功率开关的场合。常见用途包括便携式电子设备中的电源开关与负载切换，例如在智能手机和平板电脑中作为摄像头模组、显示屏背光或外设接口的电源控制开关，实现按需供电以节省能耗。此外，它也广泛用于同步整流型DC-DC降压变换器（Buck Converter）中作为下管（Low-side Switch），利用其低Rds(on)特性减少传导损耗，提升转换效率。
　　在电池管理系统（BMS）或充电控制电路中，该器件可用于过流保护、充放电通路控制等功能，凭借其快速响应能力和稳定导通特性，保障电池安全运行。同时，由于其良好的开关性能，UTD413L-TM3-T也可用于LED驱动电路中作为恒流调节开关，控制亮度输出。
　　在物联网终端设备、智能穿戴设备和无线通信模块中，该MOSFET常被用作主控芯片与射频模块之间的电源启停控制，实现睡眠模式下的零功耗待机。此外，还可用于电机驱动电路中的低端开关，控制小型直流电机或步进电机的启停与方向切换。
　　由于其SOT-23封装易于手工焊接与自动化贴片，因此也受到原型开发和小批量生产的青睐，是工程师在进行低电压、中小电流功率开关设计时的理想选择之一。

SI2302-DS3-T1-E3
　　AO3400A
　　FDMN340P
　　AP2301GN
　　FDG330N