时间：2025/6/22 14:11:19
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IRLML9301TR 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沟道逻辑级功率 MOSFET。该器件采用了先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻、快速开关速度和高效率等特性，非常适合用于消费电子、工业控制和通信设备中的开关应用。
这款 MOSFET 的设计使得它能够在低压环境下提供出色的性能表现，并且其小型化的封装形式（SOT-23）使其特别适合空间受限的应用场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.7A
导通电阻（Rds(on)）：85mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷：4nC
总功耗：630mW
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SOT-23
IRLML9301TR 提供了非常低的导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
其快速的开关特性可以有效降低开关损耗，从而提升高频操作下的性能。
由于采用了 SOT-23 封装，这款器件不仅节省了 PCB 空间，还提供了良好的散热性能。
此外，该器件具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在异常条件下的鲁棒性。
此 MOSFET 也支持较低的栅极驱动电压，简化了与微控制器或逻辑电路的接口设计。
IRLML9301TR 广泛应用于便携式电子设备中的负载开关、DC/DC 转换器、电机驱动、电池保护以及 LED 驱动等领域。
它的低导通电阻和小型化封装特别适合于需要高效能和小体积的场合，例如智能手机、平板电脑和其他移动设备。
同时，它也可以用作功率管理模块中的关键组件，帮助实现节能和可靠的设计方案。
IRLML6401TR, IRLML6402TR
