UTD405L-TN3-R 时间：2025/12/27 7:18:24 阅读：12

UTD405L-TN3-R是一款由United Silicon Carbide（UnitedSiC，现属于Qorvo）生产的第四代硅基氮化镓（GaN-on-Si）高电子迁移率晶体管（HEMT）功率器件。该器件采用先进的uGaN技术制造，具备优异的开关性能、低导通电阻和高可靠性，适用于高效率、高频开关电源应用。UTD405L-TN3-R的封装形式为TO-252（D-Pak），便于在各种功率转换系统中进行散热设计与PCB布局。该器件无需负压关断，兼容标准硅基MOSFET驱动器，显著降低了系统设计复杂度。其主要优势在于能够大幅提高电源系统的功率密度，减少能量损耗，并支持更高的开关频率，从而减小磁性元件和电容的体积，适用于服务器电源、电信整流器、光伏逆变器、电动汽车充电系统以及工业电源等高性能应用场景。作为一款增强型（E-mode）常关型氮化镓晶体管，它在栅极电压控制方面与传统MOSFET相似，进一步提升了其在现有电源架构中的可替代性和易用性。

参数

型号：UTD405L-TN3-R
　　器件类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN HEMT）
　　材料技术：GaN-on-Si（硅基氮化镓）
　　漏源电压VDS最大值：650 V
　　连续漏极电流ID（TC=25°C）：18 A
　　脉冲漏极电流IDM：72 A
　　导通电阻RDS(on)（典型值@VGS=12V）：40 mΩ
　　栅极阈值电压VGS(th)：3.5 V（最大值）
　　输入电容Ciss：2920 pF
　　输出电容Coss：580 pF
　　反向恢复电荷Qrr：0 C
　　栅极电荷Qg（总）：45 nC
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-252（D-Pak）
　　安装方式：表面贴装/通孔兼容
　　引脚数：3
　　是否符合RoHS：是

特性

UTD405L-TN3-R基于UnitedSiC第四代uGaN工艺，具备卓越的动态性能和热稳定性。其40mΩ的低导通电阻显著降低了导通损耗，特别适合大电流应用场景。由于采用增强型设计，该器件在栅极为零时处于关断状态，提高了系统安全性，避免了复杂的偏置电源设计。该器件具有极低的输出电容和栅极电荷，使其在高频开关条件下仍能保持高效率，有效降低开关损耗。相比传统硅基MOSFET，UTD405L-TN3-R在硬开关和软开关拓扑中均表现出更优的性能，例如在图腾柱PFC、LLC谐振转换器和有源钳位反激电路中实现更高效率和更高功率密度。
　　此外，该器件几乎无反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），极大地减少了体二极管反向恢复带来的电磁干扰和额外损耗，这对于桥式结构和同步整流应用尤为重要。其TO-252封装具有良好的热传导性能，便于通过PCB铜箔或散热器进行散热，同时兼容自动化装配流程。器件还具备出色的抗雪崩能力与dV/dt抗扰度，增强了系统在瞬态条件下的鲁棒性。在驱动方面，仅需+12V开启和0V关断，完全兼容常见的PWM控制器和栅极驱动IC，无需隔离负压电源，简化了驱动电路设计。整体而言，UTD405L-TN3-R代表了当前中等功率GaN器件的先进水平，在追求小型化、高效化和绿色能源转换的应用中具有广泛前景。

应用

UTD405L-TN3-R广泛应用于各类高效率、高频率的电力电子变换系统。典型应用包括通信电源中的AC-DC整流模块，尤其是在48V至12V中间母线转换器中，利用其高频能力减小磁性元件体积并提升效率。在数据中心和服务器电源中，该器件可用于图腾柱无桥PFC电路，实现超过99%的功率因数校正效率。此外，在太阳能微型逆变器和组串式光伏逆变器中，UTD405L-TN3-R凭借其快速开关特性和低损耗表现，有助于提高整体系统能效和可靠性。电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩的辅助电源与主功率级也越来越多地采用此类GaN器件以实现轻量化和小型化。工业开关电源、高端消费类适配器（如笔记本电脑PD充电器）、LED驱动电源以及无线充电发射端同样是其重要应用领域。得益于其优异的热性能和封装兼容性，该器件还可用于密集排列的多相VRM（电压调节模块）设计，满足高性能CPU和GPU的供电需求。