时间：2025/5/29 2:48:10
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CGA2B2NP01H821J050BA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提升系统效率。
型号：CGA2B2NP01H821J050BA
类型：N-Channel MOSFET
封装：TO-247
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：36A
导通电阻(Rds(on))：0.045Ω
总栅极电荷(Qg)：90nC
功耗(Ptot)：225W
工作温度范围：-55℃ to 175℃
CGA2B2NP01H821J050BA 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可以减少传导损耗，适用于高电流应用。
2. 高雪崩能力增强了器件在过载条件下的耐用性。
3. 快速开关性能有助于降低开关损耗，从而提高整体效率。
4. 提供卓越的热性能，支持长时间稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合多种工业环境需求。
6. 封装设计坚固，可承受较大的机械应力和恶劣的工作环境。
该芯片主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率转换。
2. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率管理。
4. 不间断电源 (UPS) 系统中的功率调节。
5. 电池充电器及保护电路中作为开关元件使用。
CGA2B2NP01H821J050BB, CGA2B2NP01H821J050BC
