时间：2025/12/27 8:31:59
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UTC8N80L是一款高电压、高电流的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效功率控制的电子系统中。该器件采用先进的平面技术制造，具备优良的导通电阻和开关特性，能够在高电压环境下稳定运行。其额定电压为800V，适合用于高压应用场合，例如工业电源、照明镇流器以及消费类电子产品中的功率开关模块。UTC8N80L封装形式通常为TO-220或TO-220F，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于通孔安装方式。这款MOSFET由UTC（友顺科技）生产，该公司专注于模拟与功率半导体产品的研发与制造，在亚洲市场拥有较高的知名度和广泛应用基础。由于其出色的电气性能和可靠性，UTC8N80L常被用作替代其他品牌同规格高压MOSFET的优选型号之一。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：800V
连续漏极电流（Id）：8A
脉冲漏极电流（Idm）：32A
栅源电压（Vgs）：±30V
导通电阻Rds(on)：典型值1.8Ω（在Vgs=10V, Id=4A条件下）
阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
输入电容（Ciss）：约1100pF（在Vds=25V, f=1MHz下测量）
输出电容（Coss）：约280pF
反向恢复时间（trr）：约95ns
最大功耗（Pd）：125W（Tc=25°C）
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220/TO-220F
UTC8N80L具备优异的高压阻断能力，其800V的漏源击穿电压使其能够在高压开关电源中可靠工作，尤其适用于离线式反激变换器和有源功率因数校正（PFC）电路。该器件采用了优化的元胞设计和场板结构，有效降低了电场集中效应，提高了器件的雪崩能量承受能力和长期工作的稳定性。其较低的导通电阻有助于减少导通损耗，从而提升整体系统的能效表现，并降低对散热设计的要求。此外，UTC8N80L具有较快的开关速度，输入和输出电容较小，有利于实现高频开关操作，适用于几十千赫兹至数百千赫兹的工作频率范围，满足现代开关电源小型化和高效率的设计需求。
该MOSFET还具备良好的热稳定性，其最大功耗可达125W（在壳温25°C条件下），配合合适的散热片可确保长时间满负荷运行下的安全性和可靠性。栅极阈值电压在2.0V到4.0V之间，兼容标准逻辑电平驱动信号，便于与各种PWM控制器直接接口。同时，±30V的栅源电压耐受能力增强了器件对瞬态过压的抵抗能力，提升了系统鲁棒性。器件内部未集成续流二极管，因此在感性负载应用中需外接快恢复或肖特基二极管以防止反向电压损坏。UTC8N80L符合RoHS环保要求，无铅封装设计适应现代绿色电子产品制造标准。通过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环试验，确保其在严苛环境下的长期服役能力。
UTC8N80L主要应用于各类中高功率开关电源系统，如AC-DC适配器、LED恒流驱动电源、电视及显示器电源模块、工业控制电源等。它也常用于DC-DC升压或降压拓扑结构中作为主开关管使用，尤其在反激式（Flyback）和正激式（Forward）转换器中表现出色。此外，该器件可用于电机驱动电路中的低端开关，控制直流电机或步进电机的启停与方向切换。在照明领域，UTC8N80L可用于电子镇流器或高强度气体放电灯（HID）的启动与调光电路。由于其高耐压特性，也可作为高压脉冲发生器、激光电源、复印机高压模块等特种设备中的关键开关元件。在太阳能逆变器或UPS不间断电源中，该MOSFET可用于辅助电源或控制回路中的功率切换。其稳定的电气性能和较强的抗干扰能力使其在电磁环境复杂的工业场景中依然能够保持良好工作状态。对于需要高性价比且性能可靠的高压MOSFET解决方案的应用场合，UTC8N80L是一个理想的选择。
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"STP8NK80Z",
"FQP8N80",
"KSE8N80",
"2SK3562",
"IRF8N80"
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