型号：UPK2436A
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）：5.1A
　　最大脉冲漏极电流（ID_pulse）：20A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）@ VGS=10V：24mΩ（最大）
　　导通电阻（RDS(on)）@ VGS=4.5V：30mΩ（最大）
　　导通电阻（RDS(on)）@ VGS=2.5V：45mΩ（最大）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
　　栅极电荷（Qg）：典型值8.5nC
　　输入电容（Ciss）：典型值450pF
　　输出电容（Coss）：典型值120pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值15ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SSF8（超小型表面贴装封装）
　　散热特性：高热导封装设计，支持高效散热

UPK2436A具备多项先进特性，使其在同类产品中具有显著优势。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在大电流应用中的低功耗表现，尤其是在电池供电系统中，能够有效延长续航时间。例如，在VGS=4.5V时，RDS(on)仅为30mΩ，这使得它在轻负载和中等负载条件下都能保持较高的能效。其次，该器件在低栅极驱动电压下仍能良好导通，支持2.5V至10V宽范围栅压驱动，兼容多种逻辑电平控制信号，包括来自微控制器或电源管理IC的直接驱动，无需额外电平转换电路。
　　另一个关键特性是其优化的开关速度与栅极电荷（Qg）之间的平衡。UPK2436A的典型栅极电荷仅为8.5nC，意味着在高频开关应用中可降低驱动损耗，提高整体转换效率。这对于DC-DC降压变换器、同步整流电路等高频应用场景尤为重要。同时，较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）减少了开关过程中的充放电能量损失，进一步提升了动态响应能力。
　　UPK2436A还具备良好的热稳定性与可靠性。其采用的SSF8封装不仅体积小巧（通常小于2mm x 2mm），而且通过优化内部引线和芯片布局，实现了更低的热阻，有助于将芯片产生的热量快速传导至PCB，避免局部过热导致性能下降或失效。此外，该器件经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环试验，确保在恶劣工作环境下长期稳定运行。
　　内置体二极管具有较短的反向恢复时间（trr约15ns），可减少在感性负载切换时的反向电流尖峰，从而降低电磁干扰（EMI）并防止电压振荡，提高系统的安全性与稳定性。这一特性在电机驱动或电源反接保护电路中尤为关键。此外，器件具有较强的抗雪崩能力和静电放电（ESD）防护能力，增强了在瞬态异常条件下的鲁棒性。

UPK2436A广泛应用于对空间和能效要求严苛的消费类电子产品和工业控制系统中。在便携式设备领域，常被用作主电源路径中的负载开关或背光驱动电路中的开关元件，因其低RDS(on)和小封装特性，非常适合智能手机和平板电脑中的电池管理模块。在DC-DC转换器中，尤其是同步整流拓扑结构中，UPK2436A作为下管MOSFET使用，能够在低占空比条件下高效工作，显著提升转换效率并减少发热。
　　在电源管理系统中，该器件可用于热插拔控制器或电源多路复用器，实现对不同电源轨的安全切换与隔离。由于其快速开关特性和低静态功耗，也适用于待机模式下的电源切断功能，帮助系统进入低功耗状态以节省能源。
　　在电机驱动方面，UPK2436A可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为低端开关使用，配合高端P沟道或N沟道MOSFET完成方向控制与调速功能。其快速响应能力保证了精确的PWM控制，提升运动控制精度。
　　此外，该器件还可用于LED驱动、USB电源开关、无线充电接收端电源管理、IoT设备中的传感器供电控制等场景。得益于其高可靠性和宽温度工作范围，甚至可在部分汽车电子外围电路（如车载信息娱乐系统附件模块）中使用，前提是满足相应的AEC-Q101认证要求（需确认具体批次是否通过）。总之，UPK2436A凭借其高性能与紧凑设计，成为现代高密度电子系统中不可或缺的关键组件。

DMG2400UW-7
　　FDS6680A
　　AO3400