时间：2025/12/27 9:06:32
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UTC8050S-ECB是一款由UTC（友顺科技）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的高压工艺制造，适用于高效率、高频率的开关电源应用。该器件封装形式为SOT-23，属于小型表面贴装封装，适合空间受限的便携式电子设备和高密度PCB布局设计。UTC8050S-ECB具有低导通电阻、快速开关响应和良好的热稳定性等优点，广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理电路以及各类小型电源管理系统中。由于其优异的电气性能和紧凑的封装尺寸，该型号在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、无线耳机、充电器等设备中被大量采用。此外，UTC8050S-ECB符合RoHS环保标准，无铅且无卤素，满足现代电子产品的环保要求。该MOSFET在栅极驱动电压为4.5V或以上时能够实现充分导通，适合与逻辑电平信号直接接口，简化了驱动电路设计。整体而言，UTC8050S-ECB是一款高性能、低成本、高可靠性的功率开关器件，适用于多种低电压、中等电流的开关控制场景。
型号：UTC8050S-ECB
类型：N沟道MOSFET
漏源电压VDS：20V
栅源电压VGS：±12V
连续漏极电流ID：5.3A（@Tc=25℃）
脉冲漏极电流IDM：14A
导通电阻RDS(on)：17mΩ（@VGS=4.5V）
导通电阻RDS(on)：22mΩ（@VGS=2.5V）
阈值电压VGS(th)：0.6V ~ 1.2V
输入电容Ciss：470pF @ VDS=10V
输出电容Coss：140pF @ VDS=10V
反向传输电容Crss：40pF @ VDS=10V
栅极电荷Qg：5nC @ VGS=4.5V
开启延迟时间td(on)：5ns
关断延迟时间td(off)：10ns
工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
封装：SOT-23
UTC8050S-ECB具备出色的导通性能和开关速度，其低导通电阻RDS(on)确保在大电流通过时功耗极低，从而显著提升系统效率并减少发热问题。在VGS=4.5V条件下，RDS(on)仅为17mΩ，这使得它非常适合用于电池供电设备中的电源路径控制，有效延长续航时间。同时，在较低的栅极驱动电压（如2.5V）下仍能保持22mΩ的低导通电阻，说明其对低压逻辑信号有良好的兼容性，可直接由微控制器GPIO引脚驱动，无需额外的电平转换或驱动电路，降低了系统复杂度和成本。
该器件采用SOT-23封装，体积小巧，仅需三个引脚（G、D、S），便于自动化贴片生产，适用于大批量制造。尽管封装小，但其热性能经过优化设计，在良好PCB布局下可承受高达5.3A的连续漏极电流，适用于中小功率应用场景。此外，其快速的开关特性（开启延迟5ns，关断延迟10ns）使其能够在高频PWM调制中稳定工作，适用于DC-DC降压或升压转换器中的同步整流或开关控制环节。
UTC8050S-ECB还具备良好的抗静电能力（ESD保护）和过温耐受能力，结温可达+150℃，保证了在恶劣环境下的可靠性。其输入电容较小（470pF），意味着驱动功耗低，对前级驱动电路负担小，有利于提高整体能效。反向传输电容（Crss）低至40pF，有助于抑制米勒效应，防止误触发，提升开关稳定性。这些特性共同使UTC8050S-ECB成为便携式电子产品中理想的功率开关选择。
UTC8050S-ECB广泛应用于各类低电压、高效率的电源管理场合。常见用途包括移动设备中的负载开关，用于控制不同模块的供电通断，实现节能待机或电源隔离；在同步整流型DC-DC转换器中作为下管使用，替代传统肖特基二极管以降低导通损耗；也可用于电池充电回路中的通断控制，防止反向电流泄漏；此外，还适用于LED驱动电路、USB电源开关、电机驱动小信号控制、智能穿戴设备的电源管理单元等场景。由于其SOT-23封装的小尺寸特性，特别适合高度集成化的主板设计。
AO8805, Si2305DS, FDN335N, DMG2305UX, BSS138AK
