时间：2025/7/9 13:36:59
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GRT1555C1H911JA02D是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度以及优异的热性能，能够有效提升系统的效率与可靠性。
型号：GRT1555C1H911JA02D
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：TO-263-3
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：78A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
功耗：100W
工作温度范围：-55℃至+175℃
GRT1555C1H911JA02D以其卓越的电气特性和热性能著称，其特点包括：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，可显著降低导通损耗，提高快速的开关速度，适合高频应用环境。
3. 高额定电流和耐压能力，使其在恶劣环境下依然表现出色。
4. 小型化设计，便于PCB布局优化，同时具备良好的散热性能。
5. 具备出色的静电防护能力和稳定性，确保长期运行的安全性。
这些特性使GRT1555C1H911JA02D成为高效功率转换和精密控制的理想选择。
这款功率MOSFET广泛应用于多种领域：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
3. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能。
4. 工业自动化设备中的信号放大和功率传输。
5. 各类便携式电子设备的充电管理模块。
GRT1555C1H911JA02D凭借其强大的性能指标和广泛的适应性，成为众多工程师的首选方案。
IRFZ44N, FDP5500, AO3400
