UTC50P06L 时间：2025/12/27 8:35:34 阅读：15

UTC50P06L是一款由友顺科技（UniCOSE）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，专为高效率、高密度电源转换应用设计。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、优异的开关性能和良好的热稳定性，适用于多种电源管理场景。UTC50P06L的额定电压为60V，最大连续漏极电流可达50A，适合在高负载条件下稳定工作。其封装形式为TO-220，具备良好的散热能力，能够在较宽的温度范围内可靠运行。该MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、同步整流、电机驱动、电源开关以及电池管理系统等场合。UTC50P06L的设计优化了栅极电荷和输出电容，从而降低了开关损耗，提高了整体系统效率。此外，该器件还具备良好的抗雪崩能力和坚固的结构设计，增强了在恶劣工作环境下的可靠性。由于其高性能和高性价比，UTC50P06L成为许多中功率电源设计中的理想选择。

参数

型号：UTC50P06L
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDSS)：60V
　　漏极电流(ID)：50A @ 25°C
　　导通电阻(RDS(on))：18mΩ @ VGS=10V, 25°C
　　栅源阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷(Qg)：70nC @ VDS=30V
　　输入电容(Ciss)：2800pF @ VDS=25V
　　功耗(PD)：200W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

UTC50P06L采用先进的沟槽式场效应晶体管工艺，显著降低了导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体能效。其低RDS(on)特性使其在大电流应用中表现出色，能够有效降低发热，减少对散热系统的要求。该器件的栅极电荷较低，意味着在开关过程中所需的驱动能量较少，有助于提升高频开关应用中的效率，并降低驱动电路的设计复杂度。同时，UTC50P06L具有较低的输出电容和反向传输电容，这有助于减小开关过程中的电压尖峰和电磁干扰，提高系统的电磁兼容性。器件的热阻性能良好，TO-220封装提供了较大的散热面积，能够在持续高负载下保持稳定的结温，延长使用寿命。UTC50P06L还具备优良的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或电感负载关断时承受一定的能量冲击，防止器件因电压击穿而损坏。此外，该MOSFET具有较高的栅源电压耐受能力，通常可承受±20V的栅源电压，增强了在实际应用中的抗干扰能力和可靠性。其阈值电压范围适中，便于与常见的逻辑电平驱动信号匹配，适用于PWM控制、同步整流等多种控制方式。整体而言，UTC50P06L在性能、可靠性和成本之间取得了良好平衡，是中高功率电源设计中值得信赖的核心元件。
　　

应用

UTC50P06L广泛应用于各类需要高效功率开关的电子系统中。典型应用包括但不限于：同步降压转换器和升压转换器，在这些DC-DC变换器中作为主开关或同步整流管使用，利用其低导通电阻和快速开关特性来提升转换效率；在电机驱动电路中，作为H桥或半桥结构中的功率开关，控制直流电机或步进电机的正反转与调速；在开关电源（SMPS）中用于主开关或次级侧同步整流，尤其适用于笔记本电脑适配器、工业电源模块等设备；在电池供电系统中，如电动工具、无人机和便携式设备的电池管理系统（BMS）中，用作充放电控制开关，实现高效的能量管理和保护功能；此外，还可用于逆变器、LED驱动电源、太阳能充电控制器等绿色能源相关产品。由于其高电流承载能力和良好的热稳定性，UTC50P06L也适用于短时过载或脉冲工作模式的应用场景。在汽车电子辅助电源系统中，尽管非车规级，但在非严苛环境下也可作为低成本解决方案使用。总之，凡是在60V以下电压平台、需要大电流开关能力的场合，UTC50P06L均能提供稳定可靠的性能支持。
　　