UTC4N60L-B 时间：2025/12/27 7:16:52 阅读：13

UTC4N60L-B是一款由Unisonic Technologies（友顺科技）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220和TO-252等封装形式，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效率功率控制的场合。该器件设计用于在600V的高漏源电压下工作，具备良好的热稳定性和可靠性，适合工业控制、消费电子及照明电源系统中使用。UTC4N60L-B通过优化的元胞结构和制造工艺，在保证高耐压的同时实现了较低的导通电阻和栅极电荷，从而提升了整体能效表现。其内部通常集成快速恢复体二极管，有助于抑制反向电流冲击，提高系统安全性。此外，该MOSFET具有较强的抗雪崩能力和高温工作性能，能够在恶劣环境下保持稳定运行。作为一款性价比高的中高压功率器件，UTC4N60L-B被广泛用于各类离线式电源适配器、LED驱动电源以及小型逆变设备中。

参数

型号：UTC4N60L-B
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：4A（@25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：16A
　　最大功耗（PD）：50W
　　导通电阻（RDS(on)）：≤2.2Ω（@VGS=10V, ID=2A）
　　阈值电压（Vth）：2~4V
　　输入电容（Ciss）：800pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：180pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：45ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220/TO-252

特性

UTC4N60L-B具备多项关键特性，使其在中高压功率应用中表现出色。首先，其高达600V的漏源击穿电压使其适用于通用开关电源设计，尤其是在AC-DC变换器中能够承受市电整流后的高压直流母线电压，确保系统在瞬态过压情况下仍可安全运行。其次，该器件的导通电阻控制在2.2Ω以内，在同类4A电流等级的600V MOSFET中处于较优水平，有助于降低导通损耗，提升电源转换效率。同时，较低的栅极电荷（典型Qg为35nC）意味着驱动电路所需提供的能量更少，有利于简化驱动设计并减少开关过程中的动态损耗。
　　该MOSFET采用先进的平面工艺技术，增强了元胞密度与均匀性，提升了器件的一致性和长期可靠性。其阈值电压范围为2~4V，兼容标准逻辑电平驱动信号，便于与PWM控制器直接接口，无需额外的电平转换电路。此外，UTC4N60L-B具有良好的热阻特性，TO-220封装下的结到壳热阻约为2.5°C/W，配合合适的散热片可有效管理温升，延长使用寿命。
　　在抗干扰能力方面，该器件具备较强的抗雪崩能量承受能力，能够在负载突变或短路故障时吸收一定的感应能量而不发生永久性损坏，提高了系统的鲁棒性。其体二极管具有较快的反向恢复速度（trr约45ns），减少了反向恢复电流尖峰对主开关管的应力冲击，特别适用于硬开关拓扑如反激式（Flyback）和正激式（Forward）转换器。综合来看，UTC4N60L-B在性能、成本与可靠性之间取得了良好平衡，是中小功率电源设计中的优选器件之一。

应用

UTC4N60L-B主要应用于各类中低功率开关电源系统，包括但不限于手机充电器、笔记本电脑适配器、家用电器电源模块以及LED恒流驱动电源。由于其600V耐压等级和4A额定电流，非常适合用于反激式拓扑结构的离线电源设计，这类电源普遍存在于消费类电子产品中。此外，它也常用于DC-DC升压或降压转换器中作为主开关管，特别是在输入电压较高的工业控制系统中。在电机控制领域，UTC4N60L-B可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，实现高效且可靠的启停与调速功能。该器件还可应用于太阳能微逆变器、电子镇流器以及 uninterruptible power supplies (UPS) 等设备中，承担核心功率切换任务。得益于其良好的热稳定性和封装可焊性，该MOSFET支持自动插件和回流焊接工艺，适用于大规模自动化生产场景。因此，无论是在民用还是工业级产品中，UTC4N60L-B都展现出了广泛的适用性和成熟的技术基础。