容量：4GB
　　接口类型：ONFI 2.3
　　工作电压：2.7V - 3.6V
　　封装类型：TSOP
　　最大读取速度：50MB/s
　　最大写入速度：30MB/s
　　擦除时间：2ms
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　存储单元类型：MLC NAND Flash

H9TH4GH8JDMPRR-4GM 是一颗MLC NAND Flash芯片，具有较高的存储密度和良好的数据保持能力。该芯片采用ONFI 2.3接口标准，支持高速数据传输，适用于各种嵌入式系统和存储设备。该芯片具有较强的抗干扰能力和良好的稳定性，能够在恶劣的工作环境下保持正常运行。此外，该芯片支持ECC校验功能，能够有效提高数据的可靠性和完整性。该芯片的擦写寿命可达10,000次以上，适用于需要频繁读写的应用场景。其TSOP封装形式使得芯片易于安装和使用，适用于各种便携式设备和工业控制设备。
　　在性能方面，H9TH4GH8JDMPRR-4GM 芯片具有较快的读写速度，能够满足大多数嵌入式系统的存储需求。其最大读取速度可达50MB/s，最大写入速度为30MB/s，擦除时间仅为2ms，能够有效提高系统的响应速度。此外，该芯片支持多种命令集，包括读取、写入、擦除等基本操作，同时也支持一些高级功能，如坏块管理、错误校正等，能够有效提高系统的稳定性和可靠性。
　　该芯片的封装形式为TSOP，具有较小的体积和良好的散热性能，适用于各种便携式设备和嵌入式系统。其工作温度范围为-40°C至+85°C，能够在较为恶劣的环境中正常工作。此外，该芯片的功耗较低，在待机模式下的电流消耗仅为几微安，适用于对功耗要求较高的应用场合。

H9TH4GH8JDMPRR-4GM 芯片广泛应用于各种嵌入式系统和存储设备中，如数码相机、MP3播放器、USB闪存盘、工业控制设备、车载导航系统等。其较高的存储容量和良好的性能使得该芯片成为许多嵌入式系统的首选存储方案。此外，该芯片也常用于各种便携式设备中，如智能手机、平板电脑等，用于存储操作系统、应用程序和用户数据。

H9TH4GH8JDMPRR-4GM的替代型号包括H9TP32A4UDCPRR-4GM和H9TQ17ABJTACUR-4GM，这些型号在参数和功能上与H9TH4GH8JDMPRR-4GM相似，可以根据具体需求进行选择。