型号：UTC100N03L
　　封装类型：TO-252 (DPAK)
　　晶体管极性：N沟道
　　漏源电压(VDS)：30V
　　漏极电流(Id)：100A @ 25°C
　　连续漏极电流(ID)：80A
　　脉冲漏极电流(IDM)：400A
　　导通电阻(RDS(on))：2.8mΩ @ VGS=10V, ID=50A
　　导通电阻(RDS(on))：3.6mΩ @ VGS=4.5V, ID=50A
　　栅源阈值电压(VGS(th))：1.0V ~ 2.5V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　功耗(Pd)：200W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +175°C
　　输入电容(Ciss)：10000pF @ VDS=15V
　　输出电容(Coss)：2500pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间(trr)：25ns

UTC100N03L采用高性能沟槽型MOSFET工艺，具备极低的导通电阻RDS(on)，典型值在VGS=10V时仅为2.8mΩ，在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平。这一特性显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提升了整体系统的能效，尤其适用于大电流工作的DC-DC变换器和同步整流应用。其低RDS(on)得益于优化的芯片结构设计和先进的制造工艺，能够在保持较小晶圆面积的同时实现高载流能力。
　　该器件具有出色的开关特性，包括快速的开关速度和较低的栅极电荷（Qg）。输入电容Ciss约为10000pF，输出电容Coss为2500pF，使得器件在高频开关应用中表现出色，有助于减小开关损耗并提升电源系统的响应速度。同时，其反向恢复时间trr仅为25ns，表明体二极管具有较快的恢复能力，减少了在桥式电路或续流应用中因反向恢复引起的能量损耗和电磁干扰问题。
　　UTC100N03L支持高达100A的峰值漏极电流，并可在80A连续电流下稳定工作，具备较强的过载能力和热稳定性。其最大功耗可达200W，结合TO-252封装良好的热传导性能，可通过PCB铜箔或外加散热片有效散热。工作结温范围宽达-55°C至+175°C，确保器件在高温或低温环境下仍能可靠运行，适用于工业级和部分汽车级应用环境。
　　该MOSFET的栅源阈值电压较低，典型值为1.0V~2.5V，使其能够与3.3V或5V逻辑电平直接驱动，无需额外的电平转换电路，简化了控制系统设计。同时，其栅源电压耐受能力达到±20V，提供了足够的安全裕度，防止因驱动电压波动导致器件损坏。综合来看，UTC100N03L在导通性能、开关速度、热管理和驱动兼容性方面均表现出色，是一款适用于多种高效率功率开关场景的理想选择。

UTC100N03L主要应用于需要高效、大电流开关能力的电子系统中。常见于同步整流式DC-DC降压或升压转换器，特别是在多相供电架构的CPU或GPU供电模块中，作为下管或上管使用，利用其低导通电阻减少能量损耗，提高电源转换效率。在便携式设备如笔记本电脑、平板电源管理系统中，该器件可用于电池充放电控制电路，实现高效的能量传递与管理。
　　在电机驱动领域，UTC100N03L可作为H桥电路中的开关元件，用于控制直流电机或步进电机的正反转及调速。其高电流承载能力和快速开关特性有助于提升驱动响应速度和动态性能。此外，在LED驱动电源中，该MOSFET可用于恒流控制回路中的开关元件，确保LED亮度稳定且高效运行。
　　该器件也广泛用于各类开关电源（SMPS）、适配器、充电器和UPS不间断电源系统中，作为主开关或同步整流管使用。在太阳能逆变器或小型储能系统中，UTC100N03L可用于MPPT（最大功率点跟踪）电路中的功率开关，提升能量采集效率。由于其封装为TO-252，便于焊接和散热设计，因此在工业控制板、电源模块和消费类电子产品中均有广泛应用。
　　此外，UTC100N03L还可用于热插拔控制器、负载开关和过流保护电路中，凭借其低导通压降和高可靠性，有效降低系统功耗并提升安全性。总体而言，该器件适用于所有要求高效率、大电流、低损耗的低压功率开关应用场景。

AP100N03LR1G, FDS100N03L, AON100N03L, CEM100N03L