容量：8GB
　　电压：1.2V
　　接口类型：DDR4 SDRAM
　　工作频率：3200MHz
　　数据宽度：x16
　　封装类型：BGA
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装尺寸：9mm x 13mm
　　工艺技术：20nm

W949D6DBHX6E DDR4 SDRAM 芯片具有多项显著的性能优势。首先，其低电压设计（1.2V）显著降低了功耗，与上一代 DDR3 相比，功耗降低了约20%，这使其非常适合用于节能型设备和高密度服务器应用。
　　其次，该芯片的工作频率为 3200MHz，提供了较高的数据传输速率，满足高性能计算和大数据处理的需求。此外，x16 数据宽度设计提升了数据吞吐能力，增强了整体系统性能。
　　该芯片采用了先进的 20nm 工艺技术，使得芯片在高频率运行下仍能保持良好的稳定性和较低的热量输出。同时，其 BGA 封装形式（9mm x 13mm）提供了良好的电气性能和热管理能力，适合空间受限的高密度 PCB 设计。
　　W949D6DBHX6E 还具备宽工作温度范围（-40°C 至 +85°C），确保在极端环境下的稳定运行，适用于工业控制、嵌入式系统和车载电子等严苛应用场景。

W949D6DBHX6E 主要应用于需要高性能内存的设备，包括高端个人电脑、工作站、服务器、工业控制系统、嵌入式设备以及车载电子系统等。其高带宽、低功耗和宽温特性使其在服务器和数据中心应用中表现尤为出色，有助于提升数据处理效率并降低整体能耗。
　　在嵌入式系统中，该芯片可为智能终端、网络设备和边缘计算设备提供高效稳定的内存支持。同时，其紧凑的封装设计也适用于空间受限的移动设备和工业控制主板。

AS48D16A2B4-125B, MT48LC16M16A2B4-125A