时间：2025/12/27 8:41:40
阅读：11
UT9435HZG-AE3-R是一款由UTC（友顺科技）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的高压制程技术制造，适用于多种电源管理和功率开关应用。该器件封装在DFN3x3-8L小型无铅封装中，具有优良的热性能和电气性能，适合高密度PCB布局设计。UT9435HZG-AE3-R广泛应用于DC-DC转换器、同步整流、电机驱动、电池管理系统以及各类消费类电子产品中的开关控制电路。其设计注重效率与可靠性，在低导通电阻和栅极电荷之间实现了良好平衡，有助于降低系统功耗并提升整体能效。此外，该产品符合RoHS环保标准，不含卤素，满足现代绿色电子产品的制造要求。器件标称电压为30V，可承受一定的瞬态过压情况，具备良好的抗雪崩能力和稳健的长期可靠性，适用于工业级工作温度范围，确保在复杂电磁环境和温变条件下稳定运行。
型号：UT9435HZG-AE3-R
类型：N-Channel MOSFET
漏源电压VDS：30V
栅源电压VGS：±20V
连续漏极电流ID：16A @ 25°C
脉冲漏极电流IDM：64A
导通电阻RDS(on)：4.5mΩ @ VGS=10V
导通电阻RDS(on)：5.8mΩ @ VGS=4.5V
阈值电压VGS(th)：1.0V ~ 2.0V
栅极电荷Qg：17nC @ VDS=20V, ID=8A
输入电容Ciss：1050pF @ VDS=15V
输出电容Coss：280pF @ VDS=15V
反向恢复时间trr：25ns
工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
封装：DFN3x3-8L
安装类型：表面贴装SMD
UT9435HZG-AE3-R具备优异的导通性能和快速开关响应能力，其超低导通电阻RDS(on)在同类产品中处于领先水平，典型值仅为4.5mΩ（在VGS=10V条件下），这显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。该特性特别适用于大电流应用场景，如大功率同步降压变换器或电池供电设备中的主开关管，能够有效减少发热，延长系统寿命。器件的栅极电荷Qg仅为17nC，意味着在高频开关操作下所需的驱动能量较低，从而减轻了驱动电路的负担，并支持更高的PWM频率运行，有利于缩小外围滤波元件体积，实现更紧凑的设计。
其N沟道结构提供了正温度系数的导通特性，便于多管并联时实现均流，提升了系统扩展性与稳定性。同时，UT9435HZG-AE3-R具有较低的阈值电压VGS(th)，起始导通电压约为1.0V，确保在低电压控制信号下也能可靠开启，兼容3.3V逻辑电平控制，适用于现代低压数字控制系统。器件内部采用先进沟槽工艺制造，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积的电流承载能力，同时改善了热分布均匀性。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，能够在突发短路或感性负载关断过程中吸收一定能量而不损坏，增强了系统的鲁棒性。其封装采用DFN3x3-8L无引脚设计，底部带有散热焊盘，可通过PCB大面积铺铜实现高效散热，热阻RθJA约为40°C/W，适合高功率密度设计。此外，产品通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏、高温栅极偏置、湿度敏感度等级1级等认证，保证在恶劣环境下长期稳定工作。
UT9435HZG-AE3-R广泛应用于各类中低电压直流电源系统中，典型用途包括同步整流式DC-DC降压变换器，特别是在主板供电、CPU核心电压调节模块（VRM）、显卡供电单元中作为上管或下管使用。由于其低RDS(on)和高电流能力，也常用于便携式设备的电池充放电管理电路，如移动电源、电动工具、无人机和电动自行车控制器中，担任主开关或保护开关角色。此外，该器件适用于电机驱动模块，可用于驱动直流有刷电机或步进电机的H桥电路，提供高效且快速的开关动作。
在LED照明驱动领域，UT9435HZG-AE3-R可用于恒流源拓扑中的开关元件，实现精准调光与节能。工业自动化设备中的电源模块、PLC输入输出模块、传感器供电单元也可采用该器件进行高效能量转换。由于其封装小巧，适合空间受限的应用场景，例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑内的辅助电源转换电路。同时，因其良好的高温工作性能，也可部署于车载电子系统中，如车载充电器、车灯控制模块等非安全关键类应用。总之，任何需要高效、小尺寸、高可靠性N沟道MOSFET的场合，UT9435HZG-AE3-R都是一个极具竞争力的选择。
SiSS061DN-T1-GE3,Si2301DS,DMG2301U,MCH3014
