类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：6.5A（在25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：26A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值0.85Ω（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220

FQP9N50CE 具备多项优异的电气特性和物理特性，使其在功率MOSFET市场中具有较高的竞争力。
　　首先，其最大漏源电压（VDS）为500V，能够满足高压应用的需求，如开关电源、逆变器和电机驱动电路。此外，该器件的栅源电压（VGS）支持±30V，这使得其在控制信号设计上更加灵活，并具备较强的抗干扰能力。
　　其次，FQP9N50CE 的连续漏极电流为6.5A，在高温环境下仍能保持良好的导电性能。它的脉冲漏极电流可达26A，适用于短时间高电流负载的场合。导通电阻RDS(on)最大为0.85Ω，这一数值在同类产品中处于较低水平，有助于降低导通损耗，提高能效。
　　该MOSFET的功率耗散为40W，能够在较高功率条件下稳定工作。此外，其工作温度范围为-55°C至150°C，表现出良好的热稳定性和可靠性，适合在各种环境条件下使用。
　　封装形式为TO-220，这种封装结构具有良好的散热性能和机械强度，便于安装和散热片连接，适合中高功率应用。TO-220封装也广泛用于工业控制和消费电子产品中，兼容性强，易于替换和维护。

FQP9N50CE 广泛应用于多个领域，包括但不限于以下几种典型场景：
　　在电源管理领域，FQP9N50CE 常用于开关电源（SMPS）、AC-DC转换器和DC-DC变换器中作为主开关器件。其高耐压、低导通电阻和优良的热稳定性使其在高效电源设计中表现出色。
　　在电机控制和驱动电路中，该器件可作为H桥结构的一部分，用于控制直流电机或步进电机的正反转及速度调节。其较高的脉冲电流能力能够承受电机启动时的瞬态冲击。
　　在工业自动化和控制系统中，FQP9N50CE 可用于PLC（可编程逻辑控制器）中的继电器替代、负载开关控制、照明控制等场合，提供更高效、更可靠的开关解决方案。
　　此外，该MOSFET也可用于逆变器系统、UPS（不间断电源）设备以及家用电器中的功率控制部分，例如电热水器、电磁炉、变频空调等。其广泛的应用范围和良好的性价比使其成为众多工程师的首选器件之一。

IRF840, FQA9N50C, 2SK2647