时间：2025/9/4 20:58:14
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BM23FR0.6-10DP-0.35V(878)是一款由ROHM Semiconductor生产的功率MOSFET，适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。这款MOSFET采用了先进的制造工艺，确保了低导通电阻和出色的热稳定性。
类型: MOSFET
封装类型: DP
最大漏极电流: 10A
最大漏源电压: 60V
导通电阻: 0.6Ω
工作温度范围: -55°C至150°C
BM23FR0.6-10DP-0.35V(878)具备低导通电阻的特点，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，延长设备的使用寿命。其坚固的封装设计也提供了优异的机械强度和耐环境性能，适用于各种严苛的工作条件。
该MOSFET的栅极驱动要求较低，这意味着它可以与标准逻辑电平兼容，简化了驱动电路的设计。同时，它的快速开关特性减少了开关损耗，适合高频应用。这些特性使得BM23FR0.6-10DP-0.35V(878)成为电源管理和电机控制等领域的理想选择。
BM23FR0.6-10DP-0.35V(878)常用于电源管理、电机控制、汽车电子系统以及工业自动化设备中。它在这些应用中扮演着关键角色，如DC-DC转换器、负载开关和电源供应器等。
SiHF10N60EFDM
