型号：FMH15N70E
　　封装类型：TO-220/TO-247
　　漏源电压(Vds)：700V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：15A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(Id_pulse)：60A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.22Ω @ Vgs=10V, Id=7.5A
　　阈值电压(Vth)：2.0V ~ 4.0V
　　工作结温(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　最大功耗(Pd)：150W
　　输入电容(Ciss)：典型值1100pF @ Vds=25V
　　输出电容(Coss)：典型值190pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间(trr)：典型值45ns

FMH15N70E的超结结构是其核心优势之一，这种结构通过交替P型和N型掺杂区域形成垂直电荷平衡，显著提升了器件在高电压下的性能表现。相比传统的平面型或沟槽型MOSFET，超结技术能够在保持高击穿电压的同时大幅降低单位面积的导通电阻，从而实现更高的功率密度和更低的传导损耗。这使得FMH15N70E特别适合用于需要长时间持续工作的高效率电源系统中。
　　该器件具备优异的动态特性，包括低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss），这些参数直接影响到开关过程中的能量损耗。在高频开关应用中，如PFC（功率因数校正）电路和LLC谐振转换器中，较低的Qg意味着更少的驱动功率需求，同时也有助于减小驱动电路的复杂度和成本。而低Coss则有助于减少关断时的能量存储，进一步提升转换效率。
　　热稳定性方面，FMH15N70E采用了高质量的封装材料和内部连接工艺，确保在高温环境下仍能维持稳定的电气性能。其高达150°C的最大结温允许器件在恶劣工作条件下长期运行，配合有效的散热设计可显著延长使用寿命。此外，该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，能够承受一定的过压冲击而不发生永久性损坏，提升了整个电源系统的可靠性。
　　EMI（电磁干扰）控制也是FMH15N70E的一个重要特性。由于其优化的内部结构和精确的制造工艺，该器件表现出良好的dv/dt和di/dt抗扰度，在快速开关过程中不易引发振荡或噪声问题，有助于简化EMI滤波电路的设计，满足严格的电磁兼容标准。综上所述，FMH15N70E是一款集高性能、高可靠性和高效率于一体的先进功率MOSFET器件。

FMH15N70E广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适用于需要高电压、高效率和高可靠性的场合。其最常见的应用场景包括AC-DC开关电源，特别是在有源功率因数校正（PFC）升压变换器中作为主开关管使用。在此类电路中，FMH15N70E能够有效降低导通损耗和开关损耗，提升整体电源效率，满足能源之星或CoC Tier 2等国际能效标准要求。
　　在LED照明驱动电源领域，尤其是大功率户外LED灯具和工业照明系统中，FMH15N70E因其高耐压和良好热性能被广泛采用。它可以稳定工作在宽输入电压范围内，支持恒流输出控制，保障LED光源的长寿命和亮度一致性。此外，在DC-DC变换器拓扑如反激式（Flyback）、正激式（Forward）以及半桥、全桥结构中，该器件也常用于主开关或同步整流控制，提供高效的能量转换路径。
　　工业电源设备，例如UPS不间断电源、逆变器、电机驱动器和充电器模块，同样大量使用FMH15N70E。这些应用通常要求元器件具备较强的环境适应能力和长期运行稳定性，而该MOSFET正好能满足这些严苛条件。同时，在太阳能微逆变器和储能系统中的辅助电源管理单元中，FMH15N70E也能发挥出色的性能表现。
　　除此之外，FMH15N70E还可用于家电产品中的变频空调、洗衣机和冰箱等内置电源模块中，助力实现节能减排目标。其成熟的封装形式便于安装和散热设计，有利于终端制造商进行标准化生产和维护。随着绿色能源和智能电网的发展，这类高压MOSFET的应用前景将更加广阔。

FQA15N70, FCH15N70, STP15NK70ZFP