时间:2025/12/27 7:31:11
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UT90N03是一款由优源半导体(Uyuxin Semiconductor)推出的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理、开关电路和负载驱动等场景。该器件采用先进的沟槽栅极工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点。UT90N03的封装形式通常为TO-220或TO-252(DPAK),便于在中等功率应用中进行散热设计。其额定电压为30V,最大持续漏极电流可达90A,适合用于直流电机控制、DC-DC转换器、电池管理系统以及各类消费类电子产品中的高效开关应用。由于其优异的性能和可靠性,UT90N03已成为许多低成本、高性能电源解决方案中的优选器件之一。
该MOSFET的设计注重效率与耐用性,在高温环境下仍能保持稳定的电气特性。同时,器件内部集成了快速恢复体二极管,有助于在感性负载切换过程中提供反向电流通路,减少电压尖峰对系统的冲击。此外,UT90N03符合RoHS环保要求,支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子产品的制造流程。作为一款通用型N沟道MOSFET,它在性价比方面表现突出,是中小功率开关电源和电机驱动模块中常见的核心元件之一。
型号:UT90N03
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):90A @ 25°C
脉冲漏极电流(IDM):360A
导通电阻(RDS(on)):4.5mΩ @ VGS=10V, ID=45A
导通电阻(RDS(on)):6.0mΩ @ VGS=4.5V, ID=45A
阈值电压(Vth):1.0V ~ 2.5V
输入电容(Ciss):4500pF @ VDS=15V
输出电容(Coss):1200pF @ VDS=15V
反向恢复时间(trr):30ns
工作结温范围(Tj):-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-220 / TO-252
UT90N03采用先进的沟槽栅技术,显著降低了导通电阻RDS(on),从而有效减少了导通损耗,提高了系统整体效率。在VGS=10V条件下,其典型RDS(on)仅为4.5mΩ,即使在大电流工作状态下也能保持较低的温升,提升了长期运行的稳定性和安全性。这种低阻特性特别适用于高电流密度的应用场合,如大功率LED驱动、电动工具电机控制和便携式设备的电池放电回路。
该器件具备优异的开关性能,输入电容和输出电容经过优化设计,使得其在高频开关应用中表现出色。Ciss为4500pF,在1MHz以下的开关频率下能够实现快速响应,降低开关延迟和交越损耗。同时,较短的反向恢复时间trr(约30ns)意味着其体二极管在关断过程中产生的反向恢复电荷较少,有助于抑制电压振荡和电磁干扰,提升电源系统的EMI性能。
UT90N03具有较强的过载能力和热稳定性。其最大连续漏极电流可达90A(在25°C环境温度下),并能在短时间内承受高达360A的脉冲电流,适用于启动电流较大的电机或电容性负载场景。器件的热阻较低,配合合理的PCB布局和散热措施,可在70°C以上的工作环境中稳定运行。
此外,该MOSFET的栅极耐压达到±20V,具备一定的抗静电和过压能力,增强了实际使用中的鲁棒性。阈值电压范围为1.0V至2.5V,支持逻辑电平驱动,可直接由3.3V或5V微控制器IO口驱动,无需额外的电平转换电路,简化了系统设计。综合来看,UT90N03在性能、成本与易用性之间取得了良好平衡,是一款适用于多种工业与消费类电子应用的理想功率开关器件。
UT90N03广泛应用于各类中低电压、大电流的开关电源系统中,例如同步整流DC-DC转换器、 buck变换器和boost升压电路,凭借其低导通电阻和高效率特性,能够显著提升电源转换效率并减少发热。在电池供电设备中,如电动自行车控制器、移动电源和无人机动力系统中,常被用作主开关管或电池保护开关,实现高效的能量传输与安全控制。
在电机驱动领域,UT90N03可用于直流有刷电机的H桥驱动电路,作为上下桥臂的开关元件,支持正反转和PWM调速功能。其高电流承载能力和快速开关响应使其在电动玩具、家用电器(如风扇、吸尘器)和小型自动化设备中表现出色。
此外,该器件也常见于LED照明驱动电路,特别是在大功率LED恒流源设计中作为开关管使用,帮助实现高亮度调节精度和高光效输出。在电源管理模块中,UT90N03还可用于负载开关、热插拔控制和过流保护电路,提供快速通断和故障隔离能力。
由于其TO-220或TO-252封装易于安装和散热,UT90N03也被广泛用于工业控制板、电源适配器、逆变器和UPS不间断电源等设备中,承担主功率路径的通断控制任务。其高可靠性和宽温度工作范围使其能够在恶劣环境下稳定运行,满足工业级应用需求。
AP90N03GP-HF
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