型号：UT8P03M
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25℃：160A
　　脉冲漏极电流（IDM）：640A
　　最大功耗（PD）：200W
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：3.2mΩ
　　导通电阻（RDS(on))@VGS=4.5V：4.5mΩ
　　阈值电压（Vth）：典型值2.0V，范围1.5~2.5V
　　输入电容（Ciss）：典型值10500pF
　　输出电容（Coss）：典型值1900pF
　　反向传输电容（Crss）：典型值400pF
　　二极管正向电流（IS）：30A
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-252 (D-Pak)

UT8P03M采用先进的沟槽型MOSFET工艺，显著降低了导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时仅为3.2mΩ，有效减少导通状态下的功率损耗，提升电源系统的整体效率。该低RDS(on)特性使其能够在大电流应用中保持较低的温升，增强系统可靠性。器件具备高达160A的连续漏极电流能力，在瞬态负载或脉冲工作条件下可承受最高640A的脉冲电流，展现出卓越的电流处理能力，适用于电机启动、电池放电等高瞬态电流场景。
　　其栅极电荷（Qg）较低，典型值约为130nC，有助于实现快速开关动作，降低开关损耗，特别适合高频开关电源应用如同步整流、DC-DC变换器等。输入电容Ciss为10500pF，输出电容Coss为1900pF，反向传输电容Crss为400pF，这些电容参数优化了开关过程中的电压和电流变化率，减少了EMI干扰，同时提升了开关速度与系统响应性能。此外，UT8P03M具有较低的栅极阈值电压（Vth），典型值为2.0V，确保在低电压控制信号下也能可靠导通，兼容3.3V或5V逻辑驱动电路，适用于PWM控制器直接驱动的应用。
　　TO-252封装提供了良好的热传导路径，配合PCB上的散热焊盘可实现高效散热，适用于高功率密度设计。该封装还具备较强的机械稳定性和焊接可靠性，适合自动化贴片生产。器件工作结温范围宽达-55℃至+150℃，可在严苛环境温度下稳定运行，适用于工业级和汽车级应用场景。内置的体二极管具有快速恢复特性，反向恢复时间较短，可有效防止反向电流冲击，提升系统安全性。UT8P03M还具备良好的抗雪崩能力和dV/dt耐受性，增强了在感性负载切换过程中的鲁棒性。

UT8P03M广泛应用于多种高效率、高电流的电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、服务器电源和嵌入式电源模块，作为主开关或同步整流管使用。在DC-DC降压或升压转换器中，该器件因其低导通电阻和高开关速度而成为理想选择，尤其适用于大电流输出的POL（Point-of-Load）电源设计。此外，它也常用于电机驱动电路，如直流无刷电机（BLDC）控制器、电动工具和电动车电控系统，能够承受频繁启停和大电流冲击。
　　在电池管理系统（BMS）中，UT8P03M可用于充放电回路的开关控制，其低内阻有助于减少能量损耗，延长电池续航时间。它还适用于逆变器、UPS不间断电源、LED恒流驱动电源等功率变换设备。由于其具备高电流能力和良好的热性能，也可用于大功率负载开关、热插拔控制器和电源分配单元。在消费类电子产品如游戏机、笔记本电脑电源板中，UT8P03M凭借其小型化封装和高效率表现得到广泛应用。工业自动化设备中的电磁阀驱动、继电器替代电路以及高频感应加热装置也是其典型应用场景。得益于其高可靠性和宽温工作范围，该器件还可用于车载电子系统，如车载充电器（OBC）、车灯控制模块等对稳定性要求较高的环境。

AP8P03M
　　SI7852DP-T1-E3
　　IRLR8726PbF
　　FDD8870