型号：UT75N03L-TN3-R
　　类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　材料：GaN-on-Si（硅基氮化镓）
　　漏源击穿电压（BVDSS）：100V
　　阈值电压（Vth）：典型值2.4V，范围2.0~3.0V
　　导通电阻（RDS(on)）：3.3mΩ（@ VGS=20V）
　　最大连续漏极电流（ID）：75A（@ TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：300A
　　最大栅源电压（VGSM）：+25V/-10V
　　最大漏源电压（VDSM）：100V
　　输入电容（Ciss）：典型值10600pF（@ VDS=50V, VGS=0V）
　　输出电容（Coss）：典型值690pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：典型值0C
　　体二极管正向压降（VSD）：典型值1.6V
　　开关速度：纳秒级，支持MHz级开关频率
　　工作结温范围（Tj）：-40°C 至 +175°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TOLL（TO-263-8L）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　符合标准：RoHS，AEC-Q101

UT75N03L-TN3-R的核心优势在于其基于硅基氮化镓的先进半导体工艺，这种材料体系结合了氮化镓的高电子迁移率与硅衬底的成本效益和制造兼容性，实现了卓越的电学性能与商业可行性之间的平衡。
　　首先，该器件具有极低的导通电阻（RDS(on) = 3.3mΩ），这直接降低了导通损耗，尤其在大电流应用场景下显著提升能效。同时，由于氮化镓材料本身具有宽禁带特性，器件在高电压下仍能保持稳定的工作状态，且漏电流极小，进一步减少了静态功耗。
　　其次，UT75N03L-TN3-R展现出优异的动态性能。其输入和输出电容较低，配合快速的开关响应能力，支持高达数MHz的开关频率，从而允许使用更小的磁性元件和电容，实现更高功率密度的电源设计。此外，该器件无体二极管反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），消除了传统硅MOSFET在关断时因反向恢复引起的能量损耗和电压振荡问题，极大提升了硬开关电路的可靠性和效率。
　　再者，该器件采用TOLL封装，具有8引脚配置，其中包含开尔文源极（Kelvin Source）连接，有效分离功率回路与信号回路，减少共源电感对栅极驱动的影响，提升开关稳定性与抗干扰能力。内置的栅极串联电阻也优化了驱动波形，抑制高频振铃现象。
　　最后，UT75N03L-TN3-R具备出色的热性能和长期可靠性。其最大结温可达175°C，并通过AEC-Q101认证，表明其在高温、高湿、机械振动等恶劣环境下仍能稳定运行，适用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器等对可靠性要求极高的领域。

UT75N03L-TN3-R广泛应用于各类高效率、高频电力电子变换系统中，尤其适合需要高功率密度和低损耗的设计场景。
　　在数据中心和服务器电源中，该器件可用于图腾柱无桥PFC（功率因数校正）电路，利用其零反向恢复特性实现高效整流，提升AC-DC转换效率至99%以上。在通信电源和工业电源模块中，它常用于LLC谐振半桥或全桥拓扑的初级侧开关，支持高频运行以缩小变压器体积并降低整体系统重量。
　　在电动汽车相关应用中，UT75N03L-TN3-R被用于车载充电机（OBC）和DC-DC转换器，满足AEC-Q101车规要求，确保在复杂电磁环境和宽温范围下的长期稳定运行。此外，其快速开关能力也使其适用于无线充电系统和太阳能微逆变器等新能源领域。
　　消费类高端电源，如超薄笔记本适配器、游戏主机电源等，也越来越多地采用此类氮化镓器件以实现小型化和高能效目标。UT75N03L-TN3-R凭借其高性能参数和可靠封装，成为替代传统硅MOSFET的理想选择，推动电源系统向更高效、更紧凑的方向发展。

UCC5870-Q1,UCC14140-Q1,LMG1210