型号：UT7500G-50-AB3-C-R
　　制造商：UMS（United Monolithic Semiconductors）
　　工作频率范围：7.125 GHz 至 8.5 GHz
　　增益典型值：约 46 dB
　　输出P1dB（压缩点）：≥ 50 dBm（100 W）
　　小信号增益平坦度：±0.5 dB（典型）
　　输入驻波比（VSWR）：≤ 2.0:1
　　输出驻波比（VSWR）：≤ 2.0:1
　　电源电压：+28 V（典型）
　　静态工作电流：约 350 mA（可调）
　　漏极效率（Drain Efficiency）：≥ 45%（在饱和输出时）
　　谐波抑制：≥ 30 dBc
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：陶瓷基板空气腔QFN（Air-Cavity QFN）
　　散热方式：底部接地焊盘用于高效散热
　　外部匹配：内部输入/输出匹配至50 Ω（减少外围元件数量）

UT7500G-50-AB3-C-R具备卓越的高功率放大能力，在C波段内提供高达100瓦（50 dBm）的连续波（CW）输出功率，同时保持出色的增益水平（约46 dB）。这一特性使其非常适合远距离雷达探测和高容量微波链路应用。其内部已实现输入与输出端口的50欧姆阻抗匹配，显著降低了用户在射频电路设计中的复杂度，减少了外部匹配网络所需的元件数量，从而提高了系统的整体可靠性和集成度。该器件采用GaAs pHEMT（假形高电子迁移率晶体管）工艺制造，不仅保证了高频段下的优异性能，还提供了良好的线性度和较低的相位失真，这对现代通信系统中使用高阶调制格式（如64-QAM、256-QAM）至关重要。
　　另一个关键特性是其优秀的热管理设计。芯片底部设有大面积金属焊盘，可以直接焊接至PCB上的散热区域或金属基板，实现高效的热量传导与散发。这使得UT7500G-50-AB3-C-R能够在持续高功率运行状态下维持稳定的工作温度，延长使用寿命，并确保长期运行的可靠性。此外，该器件具有良好的输入/输出驻波比（均不超过2.0:1），表明其在各种负载条件下仍能保持稳定的性能表现，不易因反射功率过高而损坏。
　　UT7500G-50-AB3-C-R还具备较强的抗干扰能力和环境适应性，可在-40°C至+85°C的宽温范围内正常工作，满足严苛的工业、航空航天及国防应用需求。其高效率（漏极效率超过45%）有助于降低系统功耗和冷却成本，特别适合对能效敏感的远程基站或移动平台。综合来看，这款功率放大器通过集成化设计、高输出功率、宽带宽和高可靠性，成为高端射频系统中不可或缺的核心组件之一。

UT7500G-50-AB3-C-R广泛应用于需要高功率、高频率和高可靠性的射频系统中。其主要用途包括C波段雷达系统，例如气象雷达、空中交通管制雷达和军用监视雷达，这些系统依赖于强大的发射功率来实现远距离目标探测和精确跟踪。在卫星通信领域，该器件可用于地面站上行链路的高功率发射模块，确保信号能够有效穿透大气层并准确送达轨道卫星。此外，它也适用于点对点微波通信系统，尤其是在长距离、高带宽的数据传输场景中，如电信运营商的骨干网络回传链路。
　　在5G毫米波扩展和固定无线接入（FWA）基础设施建设中，虽然主频段多位于更高频段，但UT7500G-50-AB3-C-R所处的7.125–8.5 GHz频段也可作为补充频谱资源用于特定区域的中继或专用网络部署。此外，该芯片还可用于电子战（EW）系统中的干扰发射机模块，利用其高输出功率压制敌方通信或雷达信号。测试与测量设备制造商也会采用此类高线性度功率放大器作为信号源的一部分，用于校准接收机灵敏度或进行电磁兼容性（EMC）测试。
　　由于其坚固的设计和宽温度工作范围，UT7500G-50-AB3-C-R同样适用于海上平台、航空电子系统和野外机动通信站等恶劣环境下的无线传输设备。总之，凡是需要在C波段实现高功率、低失真、稳定可靠的射频放大的场合，该器件都是一种理想的选择。

CHX7500-50F
　　AMMP-6540
　　UMS CHA7500-50S