UT7401G-AE3-R 时间：2025/12/27 7:18:48 阅读：10

UT7401G-AE3-R是一款由United Silicon Carbide Co., Ltd.（联合碳化硅）生产的高性能SiC（碳化硅）肖特基二极管，专为高效率、高频率和高温工作环境下的电力电子应用而设计。该器件采用先进的碳化硅材料技术，具有出色的热导率和击穿电场特性，能够显著提升电源系统的整体效率和功率密度。UT7401G-AE3-R属于650V耐压等级的肖特基二极管，适用于各类开关电源、功率因数校正（PFC）电路、DC-DC转换器以及太阳能逆变器等应用场合。其无反向恢复电荷（Qrr≈0）的特性使其在高频开关过程中几乎不产生开关损耗，从而有效降低系统温升并提高能效。此外，该器件采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热性能和机械稳定性，便于在自动化贴片生产中使用。产品符合RoHS环保标准，并具备高可靠性，适合工业级温度范围内的长期稳定运行。

参数

类型：SiC肖特基二极管
　　漏电流：≤ 10μA（典型值）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：650V
　　平均整流电流（IO）：1A
　　正向电压降（VF）：1.55V @ 1A, 25°C
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-252 (DPAK)
　　反向恢复时间（trr）：≈ 0 ns
　　热阻（RθJC）：约 60°C/W

特性

UT7401G-AE3-R的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）半导体材料构建的肖特基势垒结构，这种材料体系相较于传统硅基二极管具有更宽的禁带宽度（约3.2eV），使得器件能够在更高的电压下保持极低的漏电流，同时允许更高的工作结温。由于SiC材料的高临界电场强度，UT7401G-AE3-R在650V额定电压下仍能实现较低的导通电阻和正向压降，从而减少导通损耗。更重要的是，作为一款真正的肖特基二极管，它不存在PN结的少数载流子存储效应，因此在关断过程中不会出现反向恢复电流或反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），这极大地抑制了开关瞬态过程中的电磁干扰（EMI）和交叉导通风险，特别适用于高频软开关拓扑如LLC谐振变换器或连续导通模式（CCM）PFC电路。
　　该器件的工作结温可达+175°C，远高于传统硅二极管的150°C上限，这意味着在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，减少了对复杂散热系统的需求，有助于缩小整体电源模块的体积。其TO-252封装不仅支持表面贴装工艺，还具备优良的热传导路径，确保热量从芯片快速传递至PCB，提升了长期运行的可靠性。此外，UT7401G-AE3-R具有出色的动态稳定性，在快速dv/dt变化条件下不易发生误触发或雪崩击穿，增强了系统鲁棒性。由于其无反向恢复特性，还可以与MOSFET或IGBT配合使用以减少“尾电流”效应，从而进一步优化整体效率。这些特性使UT7401G-AE3-R成为新一代高效能电源设计中的关键元件。

应用

UT7401G-AE3-R广泛应用于需要高效率和高频率操作的电力转换系统中。典型应用场景包括：通信电源中的主输出整流与续流二极管；服务器和数据中心电源单元（PSU）内的功率因数校正（PFC）升压二极管，利用其零反向恢复特性提升PFC级效率；工业级DC-DC转换器中用于同步整流替代或辅助二极管；太阳能微型逆变器和储能系统的能量回馈路径；电动汽车车载充电机（OBC）中的次级侧整流环节；以及各类高密度适配器、LED驱动电源和高端消费类开关电源。此外，由于其耐高温特性，也适用于密闭空间或自然冷却条件下的电源设计，例如智能电表、PLC控制器和工业传感器供电模块。在这些应用中，UT7401G-AE3-R不仅能提升系统能效，还能通过减少散热需求来降低整体BOM成本和产品体积。