时间：2025/5/28 11:39:11
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UT63M125-BB是一款高性能的功率MOSFET芯片，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于多种电源管理场景。其主要功能是通过控制栅极电压来实现对负载电流的开关或调节，广泛应用于工业、消费电子及汽车电子领域。
型号：UT63M125-BB
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：125V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：15A
脉冲漏极电流(Ip)：45A
导通电阻(Rds(on))：0.12Ω
总功耗(Ptot)：180W
结温范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220
工作温度范围(Ta)：-40°C 至 +125°C
UT63M125-BB具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻(0.12Ω)，能够有效降低功耗，提高系统效率。
2. 高耐压能力(125V)，适用于高压应用场景。
3. 支持大电流操作(连续漏极电流可达15A)，满足高功率需求。
4. 快速开关特性，适合高频应用环境。
5. 出色的热稳定性，能够在极端温度条件下可靠运行(-55°C至+175°C)。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
7. 封装形式为TO-220，便于安装与散热设计。
该芯片广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. DC/DC转换器的核心开关器件。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 汽车电子系统的负载控制模块。
5. 工业自动化设备中的功率调节单元。
6. 充电器、逆变器等消费类电子产品中的关键组件。
IRFZ44N
FQP17N12
STP15NF06L
