C0402C0G500-4R7DNE 是一款陶瓷电容器,属于多层片式陶瓷电容器(MLCC),广泛应用于电子电路中。它采用 0402 封装尺寸,具有体积小、寄生电感低、频率特性优异的特点,适合高频和高密度设计。该型号使用 C0G(NP0)介质材料,具备良好的温度稳定性和低损耗特性。
封装:0402
容量:4.7pF
额定电压:50V
公差:±5%
Q 值:≥1000(在 1MHz 下测试)
温度系数:C0G/NP0
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
直流偏压特性:几乎无变化
C0402C0G500-4R7DNE 具有以下主要特性:
1. 温度稳定性:由于采用 C0G(NP0)介质,其容量随温度的变化极小,适用于精密应用。
2. 高 Q 值:在高频条件下表现出较低的等效串联电阻(ESR),从而降低信号损耗。
3. 耐受直流偏置:与 X7R 或 Y5V 等介质相比,C0G 介质在施加直流电压时容量几乎没有下降。
4. 小型化设计:0402 封装使其非常适合空间受限的应用场景。
5. 广泛的工作温度范围:能够在极端温度环境下保持稳定的性能。
6. 高可靠性:陶瓷电容器通常具有较长的寿命和较低的故障率,尤其适用于关键电路组件。
C0402C0G500-4R7DNE 的典型应用场景包括:
1. 滤波电路:用于射频前端滤波,减少信号干扰。
2. 耦合与解耦:为高频信号提供隔离或电源去耦作用。
3. 振荡电路:在晶体振荡器或其他振荡电路中作为负载电容。
4. 匹配网络:用于天线匹配和其他 RF 匹配网络。
5. 时钟电路:在时钟生成电路中起到稳定信号的作用。
6. 数据通信设备:如路由器、交换机等中的高频信号处理部分。
7. 消费类电子产品:手机、平板电脑及其他便携式设备中的高频模块。
C0402C470G5GACD
C0402C470G5GACTU
C0402C470G5GABT
0402C470G5GAT2