型号：UT6302G-AE2-R
　　封装形式：SOT-23-6L
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　最大电源电压（VDD）：25V
　　静态电流：≤ 180μA
　　关断电流：≤ 50μA
　　启动电压（VST）：约8.5V
　　欠压锁定阈值（UVLO）：7.5V（上升），6.8V（下降）
　　同步整流驱动电压范围：8V 至 20V
　　最大驱动能力：2A（峰值源电流），3A（峰值吸电流）
　　导通延迟时间：典型值40ns
　　关断延迟时间：典型值30ns
　　响应时间（从VDS下降到开启）：典型值50ns
　　保护功能：过温保护、VDD过压保护、负电压尖峰抑制
　　工作频率范围：支持高达500kHz的开关频率
　　引脚配置：6引脚，分别为VDD、GND、SENSE、GATE、NC、CS（具体以数据手册为准）

UT6302G-AE2-R具备优异的自供电架构与高精度电压检测机制，能够在反激变换器的次级侧精确感知同步整流MOSFET的漏源电压变化，从而实现快速且可靠的导通与关断控制。其核心特性之一是采用了动态电压检测技术，能够有效区分真实的导通需求与因电路噪声或寄生振荡引起的误触发，极大提升了系统的抗干扰能力和稳定性。该芯片内部集成了高压电平位移电路，允许其直接驱动浮地工作的MOSFET，无需额外的隔离元件或辅助绕组供电设计，简化了外围电路结构并降低了系统成本。
　　另一个关键优势在于其超低静态电流设计，在轻载或待机状态下可显著降低功耗，满足能源之星、CoC Tier 2等国际能效标准的要求。同时，UT6302G-AE2-R具备完善的保护机制，包括VDD过压锁定（OVP）、内部稳压钳位、过温保护（OTP）以及对负向电压尖峰的抑制能力，防止在极端工况下损坏芯片或影响系统正常运行。这些保护功能不仅提高了产品的可靠性，也增强了整个电源系统的安全性。
　　该器件还优化了驱动输出级，提供较强的拉电流和灌电流能力，可高效驱动不同栅极电荷特性的MOSFET，缩短开关过渡时间，进一步减少开关损耗。其快速响应特性确保在高频率工作条件下仍能保持精确的同步整流时序，避免反向电流或体二极管导通带来的能量损失。此外，UT6302G-AE2-R采用小型化SOT-23-6L封装，节省PCB空间，便于自动化贴装，适用于大规模生产环境。整体而言，该芯片在效率、可靠性和集成度之间实现了良好平衡，是现代高效电源设计中理想的同步整流控制解决方案。

UT6302G-AE2-R广泛应用于各类中小功率AC-DC开关电源中，尤其是在追求高效率、高功率密度和低成本的消费类电子产品电源设计中表现突出。典型应用包括手机、平板电脑、笔记本电脑等便携设备的充电器，尤其是支持PD快充协议的USB Type-C适配器，因其需要在有限体积内实现更高的转换效率，使用该芯片可有效降低温升并提升整体性能。
　　此外，该芯片也适用于各类通用交流适配器，如路由器、智能家居设备、无线耳机充电盒等产品的外置电源模块。在LED照明领域，特别是高亮度LED驱动电源中，UT6302G-AE2-R可用于提高恒压或恒流输出电源的效率，延长灯具使用寿命并满足严格的能效法规要求。
　　在工业与家电应用中，诸如小功率电机驱动电源、IoT设备供电单元、智能电表辅助电源等场景也可采用该芯片进行同步整流优化。由于其具备良好的温度适应性和抗干扰能力，即使在较为恶劣的电磁环境或宽温工作条件下也能保持稳定运行。
　　值得一提的是，UT6302G-AE2-R特别适合搭配原边反馈（PSR）或光耦反馈的反激控制器使用，构成完整的高效电源方案。例如，与UT396x系列、OB22xx系列或其他主流PWM控制器配合，可构建无需次级基准源和光耦的简洁拓扑结构，进一步降低成本并提升可靠性。因此，它已成为众多电源工程师在开发绿色节能电源产品时的重要选择之一。

APSR37011
　　SY5020A
　　SG6020A
　　MP6908A