型号：UT61M256S-15
　　制造商：UTC（友顺科技）
　　器件类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：20A（@Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：80A
　　导通电阻（RDS(on)）：15mΩ（@VGS=10V, ID=10A）
　　导通电阻（RDS(on)）：18mΩ（@VGS=4.5V, ID=10A）
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容（Ciss）：2300pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：680pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：未集成体二极管或快速恢复型
　　最大功耗（PD）：125W（@Tc=25℃）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

UT61M256S-15 具备出色的导通性能与开关特性，是专为高效率电源转换系统设计的核心元件之一。其最关键的特性之一是极低的导通电阻（RDS(on)），在VGS=10V时仅为15mΩ，这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，从而提高了整个系统的能效。即使在较低的栅极驱动电压（如4.5V）下，其RDS(on)仍保持在18mΩ的低水平，表明该器件兼容3.3V逻辑电平驱动电路，适用于由微控制器或PWM控制器直接驱动的应用场景，无需额外的电平转换或驱动IC，简化了电路设计并降低了成本。
　　该MOSFET采用了先进的沟槽式（Trench MOS）工艺技术，提升了单位面积的载流能力，同时优化了电场分布，增强了器件的击穿耐受能力和可靠性。其高达20A的连续漏极电流能力使其适用于中等功率级别的负载切换与电源管理任务。此外，器件具有较高的输入阻抗和快速的开关响应速度，能够实现高频操作，减少开关过渡时间，进而降低开关损耗，特别适合用于同步整流、DC-DC降压变换器（Buck Converter）以及电池管理系统中的充放电控制回路。
　　UT61M256S-15 还具备良好的热稳定性和热循环耐久性，TO-252封装提供了有效的散热路径，允许通过PCB铜箔进行热量传导，提升整体散热效率。其工作结温范围可达-55℃至+150℃，确保在极端环境条件下仍能可靠运行。内置的体二极管虽然并非专门优化用于高速恢复，但在某些拓扑结构（如H桥或Flyback）中可提供必要的续流功能。总体而言，该器件在性能、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是中小功率电源设计中的理想选择之一。

UT61M256S-15 广泛应用于多种电力电子和电源管理系统中，尤其适合对效率、尺寸和成本有较高要求的场合。其典型应用包括但不限于：同步整流型DC-DC转换器，在此类应用中，该MOSFET作为低边或高边开关使用，替代传统的肖特基二极管，大幅降低导通压降和能量损耗，提升转换效率，特别是在低压大电流输出的电源模块中表现尤为突出。
　　在电池供电设备中，如笔记本电脑、移动电源、电动工具和便携式医疗设备中，UT61M256S-15 常用于电池保护电路或充放电控制开关，利用其低RDS(on)特性减少电池内阻带来的压降，延长续航时间。同时，其快速开关能力也适用于马达驱动电路，例如在小型直流电机或步进电机的H桥驱动结构中，作为四个桥臂开关之一，实现正反转与制动控制。
　　在AC-DC开关电源中，该器件可用于次级侧的整流环节或辅助电源的功率开关，提升整体能效并满足节能标准。此外，它还适用于LED驱动电源、服务器电源模块、通信电源系统以及工业控制板上的负载开关与电源分配单元。由于其封装为TO-252，易于实现自动化贴片生产，因此非常适合批量生产的消费类电子产品和工业设备。在太阳能逆变器或UPS不间断电源的小功率版本中，UT61M256S-15 也可作为部分功率级的开关元件使用，发挥其高可靠性和长寿命的优势。

AP61M256S-15
　　SISS710DN-T1-GE3
　　AOZ61M256S-15