UT6164C64AQ-5 时间：2025/5/9 9:25:26 阅读：20

UT6164C64AQ-5是一款高密度静态随机存取存储器（SRAM），广泛应用于需要快速数据访问和低功耗的电子设备中。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，提供大容量的数据存储和高效的读写性能。
　　这款SRAM具有64K x 16的存储结构，总共可存储1M字节的数据。其设计特别适合于需要高速缓存或临时数据存储的应用场景，例如网络通信设备、工业控制、消费类电子产品等。

参数

存储容量：1048576字节
　　数据宽度：16位
　　工作电压：3.3V ± 0.3V
　　访问时间：5ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TQFP-100
　　引脚间距：0.5mm
　　数据保持时间：无限（在电源供电情况下）
　　功耗：待机模式下典型值为20mW

特性

UT6164C64AQ-5具备以下主要特性：
　　1. 高速访问能力：支持高达5ns的快速访问时间，确保实时数据处理。
　　2. 稳定性：即使在极端温度条件下，也能保持良好的数据一致性和可靠性。
　　3. 低功耗设计：优化的电路结构使其在待机模式下的功耗极低，非常适合电池供电设备。
　　4. 易用性：简单直观的接口设计使得与微处理器和其他外围设备的集成变得轻松。
　　5. 数据完整性：内置的刷新机制确保数据在长时间存储过程中不会丢失。

应用

UT6164C64AQ-5适用于多种应用场景，包括但不限于：
　　1. 工业自动化控制系统中的数据缓冲和临时存储。
　　2. 网络路由器和交换机中的数据包缓存。
　　3. 医疗设备中的高速数据采集与处理。
　　4. 消费类电子产品如打印机、扫描仪等中的图像数据存储。
　　5. 嵌入式系统中的程序代码和关键数据的临时存储。