型号：UT5504G-S08-R
　　极性：N沟道
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：19A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：76A
　　导通电阻（RDS(on)）：4.8mΩ（@VGS=10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：6.2mΩ（@VGS=4.5V）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：1350pF（@VDS=15V）
　　输出电容（Coss）：470pF（@VDS=15V）
　　反向传输电容（Crss）：100pF（@VDS=15V）
　　栅极电荷（Qg）：25nC（@VGS=10V）
　　体二极管反向恢复时间（trr）：28ns
　　最大功耗（PD）：2.5W（@TA=25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-8（Exposed Pad）

UT5504G-S08-R具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势在于极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V条件下仅为4.8mΩ，在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。这一特性使其特别适用于大电流应用场景，如电池供电设备中的负载开关或同步整流电路。器件的栅极电荷Qg仅为25nC，意味着驱动所需的能量较少，有助于降低驱动电路的复杂度并提升开关频率，从而减小外围电感和电容的尺寸，实现更高的功率密度。其输入电容Ciss为1350pF，输出电容Coss为470pF，Crss为100pF，这些参数保证了良好的高频响应特性，减少开关过程中的电压振荡和电磁干扰（EMI），提高系统的电磁兼容性。
　　该MOSFET采用先进的沟槽式（Trench）工艺制造，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积下的电流承载能力。同时，其体二极管具有较短的反向恢复时间trr（28ns），有效抑制了反向恢复过程中产生的尖峰电流和功率损耗，避免了因寄生振荡引发的热失控问题，增强了在硬开关拓扑中的可靠性。器件的工作结温可达+150°C，并具备优良的热阻特性（RθJA约50°C/W），结合SOP-8带裸焊盘（Exposed Pad）封装，可通过PCB大面积铺铜实现高效散热，确保长时间满负荷运行下的稳定性。
　　UT5504G-S08-R还具备出色的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下吸收一定的能量而不发生永久性损坏，增强了系统应对异常工况（如电感断开、负载突变）的能力。其阈值电压范围为1.0V~2.5V，兼容3.3V和5V逻辑电平驱动，可直接由微控制器或PWM控制器驱动，无需额外电平转换电路，简化了系统设计。此外，器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环试验，确保在工业级环境下的长期稳定运行。

UT5504G-S08-R广泛应用于多种中低压大电流开关电源系统中。典型应用场景包括便携式电子设备的电源管理模块，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的电池充放电控制电路和DC-DC降压/升压转换器。在LED照明领域，它可用于恒流驱动电路中的开关元件，实现高效率的能量转换和精确的亮度调节。在电动工具、无人机和电动自行车等使用锂电池供电的设备中，该MOSFET常被用作电池保护板上的充放电控制开关，配合保护IC实现过流、短路和过温保护功能。
　　在通信设备和网络终端产品中，UT5504G-S08-R适用于多路电源轨的负载开关控制，能够实现快速启停和低静态功耗，提升系统能效。此外，在服务器电源、嵌入式工控主板和智能家居控制板中，该器件可用于同步整流型BUCK变换器的下管或上管，替代传统肖特基二极管以降低导通压降，提高整体转换效率。由于其封装小巧且支持表面贴装工艺，也适合高度集成化的模块电源（Module Power Supply）和POL（Point of Load）电源设计。
　　在电机驱动应用中，UT5504G-S08-R可作为H桥电路中的低端开关，用于控制直流有刷电机的正反转和调速，凭借其低RDS(on)和快速开关特性，有效减少发热并提升动态响应速度。同时，该器件也可用于热插拔电路、电源冗余切换开关以及USB PD快充协议中的功率路径管理单元，保障高电流传输的安全性和稳定性。

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　　 "AO4404",
　　 "SI2304DDS",
　　 "DMG2304U",
　　 "FS8804",
　　 "AP2304GNTR-G1"
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